[发明专利]半导体封装基板及其制造方法有效
| 申请号： | 201680083979.0 | 申请日： | 2016-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN108886025B | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 裵仁燮;姜圣日 | 申请（专利权）人： | 海成帝爱斯株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/053 | 分类号： | H01L23/053;H01L23/13;H01L23/538;H01L23/00;H01L23/498 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 张雅文 |
| 地址： | 韩国庆尙南道*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体封装基板及其制造方法，所述半导体封装基板及其制造方法使用简单的制造工艺而具有改良的图案准确性及产品可靠性。所述半导体封装基板包括：基础基板，具有导电材料，且包括第一区域及第二区域，所述第一区域上安装芯片且所述第一区域在表面中包括第一凹槽或第一沟渠，所述第二区域接触所述第一区域且在表面中包括虚设凹槽或虚设沟渠；以及树脂，填充于所述第一凹槽或所述第一沟渠以及所述虚设凹槽或所述虚设沟渠中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体封装基板，包括：基础基板，包含导电材料，且包括第一区域及第二区域，所述第一区域上安装芯片且所述第一区域在表面中包括第一凹槽或第一沟渠，所述第二区域接触所述第一区域且在表面中包括虚设凹槽或虚设沟渠；以及树脂，填充于所述第一凹槽或所述第一沟渠以及所述虚设凹槽或所述虚设沟渠中。
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