[发明专利]半导体封装基板及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装基板，其特征在于，包括：

基础基板，包含导电材料，且包括第一区域及第二区域，所述第一区域上安装芯片且所述第一区域在表面中包括第一凹槽或第一沟渠，所述第二区域接触所述第一区域且在表面中包括虚设凹槽或虚设沟渠，其中所述第二区域不为配线图案；以及

树脂，填充于所述第一凹槽或所述第一沟渠以及所述虚设凹槽或所述虚设沟渠中，且在所述基础基板的相对表面上仅位于所述第一区域中的第二凹槽或第二沟渠以至少部分地暴露出所述树脂。

2.如权利要求1所述的半导体封装基板，其特征在于，所述第二区域是在一方向上延伸的框架区域。

3.如权利要求2所述的半导体封装基板，其特征在于，所述第二区域位于所述基础基板的外侧部分或中心部分处。

4.如权利要求1所述的半导体封装基板，其特征在于，所述第二凹槽或所述第二沟渠位于除所述第二区域的相对表面以外的其他部分中。

5.一种制造半导体封装基板的方法，其特征在于，所述方法包括：

制备基础基板，所述基础基板包含导电材料且包括第一区域及第二区域，所述第一区域上安装芯片，所述第二区域接触所述第一区域；

在所述基础基板的表面上在所述第一区域中形成第一凹槽或第一沟渠；

在所述基础基板的所述表面上在所述第二区域中形成虚设凹槽或虚设沟渠；

使用树脂填充所述第一凹槽或所述第一沟渠以及所述虚设凹槽或所述虚设沟渠，其中所述第二区域不为配线图案；

将所述树脂硬化；以及

蚀刻所述基础基板的相对表面，以至少部分地暴露出填充于所述第一凹槽或所述第一沟渠中的所述树脂。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第二区域是在一方向上延伸的框架区域。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第二区域位于所述基础基板的外侧部分或中心部分处。

8.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述形成所述第一凹槽或所述第一沟渠与所述形成所述虚设凹槽或所述虚设沟渠是同时执行的。

9.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述蚀刻所述基础基板的所述相对表面包括蚀刻位于所述基础基板的所述相对表面上的所述第一区域而不蚀刻位于所述基础基板的所述相对表面上的所述第二区域。