[发明专利]半导体封装基板及其制造方法

说明书

本发明提供一种半导体封装基板及其制造方法，所述半导体封装基板及其制造方法使用简单的制造工艺而具有改良的图案准确性及产品可靠性。所述半导体封装基板包括：基础基板，具有导电材料，且包括第一区域及第二区域，所述第一区域上安装芯片且所述第一区域在表面中包括第一凹槽或第一沟渠，所述第二区域接触所述第一区域且在表面中包括虚设凹槽或虚设沟渠；以及树脂，填充于所述第一凹槽或所述第一沟渠以及所述虚设凹槽或所述虚设沟渠中。

【技术领域】

本发明涉及一种半导体封装基板及其制造方法，特别是涉及一种能够藉由简单的工艺来改良图案准确性及产品可靠性的半导体封装基板及其制造方法。

【背景技术】

由于半导体装置是以封装形式用于半导体封装基板上，因此在封装中使用的半导体封装基板具有微电路图案及/或输入/输出(input/output，I/O)端子。由于半导体装置的高性能及/或半导体装置的高集成度以及使用所述半导体装置的电子装置的小型化及/或高性能已取得进步，因此半导体封装基板的微电路图案已具有较小的线宽度及较高的复杂性。

当根据先前技术来制造半导体封装基板时，使用上面堆栈有铜箔(Copper Foil)的覆铜迭层板(Copper Clad Laminate，CCL)来形成贯穿孔(through hole)，且对贯穿孔的内部表面进行镀敷以将上部铜箔与下部铜箔电连接至彼此，且接着使用光刻胶剂分别将上部铜箔及下部铜箔图案化。然而，根据先前技术的制造半导体封装基板的方法，制造工艺复杂且准确性低。

【发明内容】

技术问题

本发明的一或多个实施例包括能够使用简单的工艺改良图案准确性及产品可靠性的一种半导体封装基板及其制造方法。然而，以上技术问题为示例性的，且本发明的范围并非仅限于此。

技术解决方案

根据本发明的实施例，提供一种半导体封装基板，所述半导体封装基板包括：基础基板，具有导电材料，且包括第一区域及第二区域，所述第一区域上安装芯片且所述第一区域在表面中包括第一凹槽或第一沟渠，所述第二区域接触所述第一区域且在表面中包括虚设凹槽或虚设沟渠；以及树脂，填充于所述第一凹槽或所述第一沟渠以及所述虚设凹槽或所述虚设沟渠中。

所述第二区域可为在一方向上延伸的框架区域。

所述第二区域可位于所述基础基板的外侧部分或中心部分处。

所述半导体封装基板可更包括在所述基础基板的相对表面上仅位于所述第一区域中的第二凹槽或第二沟渠以至少部分地暴露出所述树脂。

所述第二凹槽或所述第二沟渠可位于除所述第二区域的相对表面以外的其他部分中。

根据本发明的实施例，提供一种制造半导体封装基板的方法，所述方法包括：制备基础基板，所述基础基板具有导电材料且包括第一区域及第二区域，所述第一区域上安装芯片，所述第二区域接触所述第一区域；在所述基础基板的表面上在所述第一区域中形成第一凹槽或第一沟渠；在所述基础基板的所述表面上在所述第二区域中形成虚设凹槽或虚设沟渠；使用树脂填充所述第一凹槽或所述第一沟渠以及所述虚设凹槽或所述虚设沟渠；将所述树脂硬化；以及蚀刻所述基础基板的相对表面，以至少部分地暴露出填充于所述第一凹槽或所述第一沟渠中的所述树脂。

所述第二区域可为在一方向上延伸的框架区域。

所述第二区域可位于所述基础基板的外侧部分或中心部分处。

所述形成所述第一凹槽或所述第一沟渠与所述形成所述虚设凹槽或所述虚设沟渠可同时执行。

所述蚀刻所述基础基板的所述相对表面可包括蚀刻位于所述基础基板的所述相对表面上的所述第一区域而不蚀刻位于所述基础基板的所述相对表面上的所述第二区域。

藉由附图、申请专利范围及详细说明，将更佳地理解本发明的其他态样、特征及优点。