[发明专利]半导体激光器装置有效
| 申请号： | 201680083246.7 | 申请日： | 2016-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN108701964B | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 山根统;斋藤真司;角野努;金子桂;桥本玲 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01S5/18 | 分类号： | H01S5/18;H01S5/12 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 杨谦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体激光器装置具有有源层、第一层和表面金属膜。上述有源层层叠有多个量子阱层，能够通过子带间跃迁射出太赫兹波的激光。上述第一层设置在上述有源层之上，具有第一面，该第一面上以构成二维的栅格的方式设置有多个凹坑。上述表面金属膜设置在上述第一层之上，具有多个开口部。各个凹坑相对于与上述栅格的边平行的线是非对称的。上述激光穿过上述多个开口部，向与上述有源层大致垂直的方向出射。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光器装置，其中，具备：有源层，层叠有多个量子阱层，能够通过子带间跃迁射出太赫兹波的激光；第一层，设置在上述有源层之上，具有第一面，该第一面上以构成二维的栅格的方式设置有多个凹坑；以及表面金属膜，设置在上述第一层之上，设有多个开口部，各个凹坑相对于与上述栅格的边平行的线是非对称的，上述激光穿过上述多个开口部，向与上述有源层大致垂直的方向射出。
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