[发明专利]半导体激光器装置有效
| 申请号： | 201680083246.7 | 申请日： | 2016-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN108701964B | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 山根统;斋藤真司;角野努;金子桂;桥本玲 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01S5/18 | 分类号： | H01S5/18;H01S5/12 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 杨谦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 装置 | ||
1.一种半导体激光器装置，其中，
具备：
有源层，层叠有多个量子阱层，能够通过子带间跃迁射出太赫兹波的激光；
第一层，设置在上述有源层之上，具有位于远离上述有源层一侧的第一面，该第一面上以构成二维的第一栅格的方式设置有多个凹坑；以及
表面金属膜，设置在上述第一层之上，设有多个开口部，
各个凹坑的平面形状相对于与上述栅格的边平行的线是非对称的，
上述激光穿过上述多个开口部，向与上述有源层大致垂直的方向射出。
2.如权利要求1所述的半导体激光器装置，其中，
上述第一层的上述第一栅格由凹坑构成，该凹坑具有将上述第一层中的规定区域从上述第一面朝向深度方向切下后的形状。
3.如权利要求1所述的半导体激光器装置，其中，
上述开口部构成二维的第二栅格。
4.如权利要求2所述的半导体激光器装置，其中，
上述开口部构成二维的第二栅格。
5.如权利要求3所述的半导体激光器装置，其中，
上述第二栅格的间距与上述第一栅格的间距不同。
6.如权利要求4所述的半导体激光器装置，其中，
上述第二栅格的间距与上述第一栅格的间距不同。
7.如权利要求1～6中任一项所述的半导体激光器装置，其中，
还具备第一电极，该第一电极设置在上述第一层与上述表面金属膜之间，与上述第一层的表面电连接但与上述表面金属膜绝缘。
8.如权利要求7所述的半导体激光器装置，其中，
上述第一电极具有框部和多个条形部，上述多个条形部的两端部与框部相连结，
上述多个条形部具有规定的间距且相互平行地配置，并且与上述框部倾斜交叉。
9.如权利要求8所述的半导体激光器装置，其中，
上述第一电极的开口部的平面形状相对于与上述第一层的上述栅格的边平行的线是非对称的。
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