[发明专利]半导体激光器装置

说明书

半导体激光器装置具有有源层、第一层和表面金属膜。上述有源层层叠有多个量子阱层，能够通过子带间跃迁射出太赫兹波的激光。上述第一层设置在上述有源层之上，具有第一面，该第一面上以构成二维的栅格的方式设置有多个凹坑。上述表面金属膜设置在上述第一层之上，具有多个开口部。各个凹坑相对于与上述栅格的边平行的线是非对称的。上述激光穿过上述多个开口部，向与上述有源层大致垂直的方向出射。

技术领域

本发明的实施方式涉及半导体激光器装置。

背景技术

在使用量子级联激光器作为太赫兹波的光源时，通过电子的子带间跃迁，能够进行30GHz～30THz的激光振荡。

在将端面发光型量子级联激光器作为光源时，需要使从端面扩展而射出的激光成为平行光的准直透镜，激光器装置的外形变大。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2009－231773号公报

发明内容

发明要解决的课题

提供能够高效率地射出平面波的太赫兹波的半导体激光器装置。

用于解决课题的手段

实施方式的半导体激光器装置具有有源层、第一层和表面金属膜。上述有源层层叠有多个量子阱层，能够通过子带间跃迁而射出太赫兹波的激光。上述第一层设置在上述有源层之上，具有第一面，该第一面上以构成二维的栅格(lattice)的方式设置有多个凹坑(pit)。上述表面金属膜设置在上述第一层之上，具有多个开口部。各个凹坑相对于与上述栅格的边平行的线是非对称的。上述激光穿过上述多个开口部向与上述有源层大致垂直的方向射出。

附图说明

图1是第一实施方式的半导体激光器装置的示意立体图。

图2是第一实施方式的半导体激光器装置的表面金属膜的示意平面图。

图3是关于第一实施方式的半导体激光器装置的表面金属膜的、表示相对于太赫兹波的频率的透射率的曲线图。

图4是表示表面金属膜的变形例的示意平面图。

图5是表示表面金属膜的配置的其他例的示意平面图。

图6是第一实施方式的半导体激光器装置中的面发光部的示意平面图。

图7是面发光部的第一电极的示意平面图。

图8是凹坑部的局部示意立体图。

图9是表示相对于凹坑数的电流注入均匀度依存性以及相对光提取效率依存性的曲线图。

图10是第二实施方式的半导体激光器装置的示意立体图。

图11是比较例的激光器装置的构成图。

具体实施方式

以下，参照附图，对本发明的实施方式进行说明。

图1是第一实施方式的半导体激光器装置的示意立体图。

半导体激光器装置5具有有源层25、第一层27和表面金属膜80。有源层25层叠有多个量子阱层，能够通过子带间跃迁射出太赫兹波的激光。另外，本说明书中，所谓太赫兹波，设为30GHz以上、30THz以下。

第一层27设置在有源层25之上，具有第一面21a，该第一面21a设置为，由多个凹坑101构成二维的栅格。表面金属膜80设置在第一层27之上，设有多个开口部80a。开口部80a例如能够做成金属网眼的间隙等。