[发明专利]蚀刻辅助特征在审
申请号: | 201680082533.6 | 申请日: | 2016-12-21 |
公开(公告)号: | CN108700802A | 公开(公告)日: | 2018-10-23 |
发明(设计)人: | W·T·特尔;T·I·瓦洛 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36;G03F1/70;G03F1/80;G06F17/50;H01L21/033;H01L21/311 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 张启程 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供一种工艺,该工艺包括:获得布局,所述布局至少部分地指定通过图案化过程和蚀刻过程转移到衬底上的图案;以及利用一个或更多个处理器修改所述布局以包括蚀刻辅助特征,该蚀刻辅助特征大于图案化过程的分辨率极限且小于蚀刻过程的分辨率极限,该蚀刻辅助特征配置成减小图案化过程或蚀刻过程的偏差,以减小所述布局中的特征的归因于蚀刻过程的蚀刻诱发移位,或者扩展另一个图案化过程的过程窗口。 | ||
搜索关键词: | 蚀刻 图案化过程 辅助特征 分辨率极限 减小 辅助特征配置 处理器 衬底 移位 诱发 图案 | ||
【主权项】:
1.一种方法,包括:获得布局,所述布局至少部分地指定将通过图案化过程和蚀刻过程转移到衬底上的图案;和利用一个或更多个处理器修改所述布局以包括蚀刻辅助特征,所述蚀刻辅助特征大于所述图案化过程的分辨率极限且小于所述蚀刻过程的分辨率极限,所述蚀刻辅助特征配置成减小所述图案化过程或所述蚀刻过程的偏差,以减小所述布局中的特征的由于所述蚀刻过程而导致的蚀刻诱发移位,或者扩展另一个图案化过程的过程窗口。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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