[发明专利]蚀刻辅助特征

说明书

提供一种工艺，该工艺包括：获得布局，所述布局至少部分地指定通过图案化过程和蚀刻过程转移到衬底上的图案；以及利用一个或更多个处理器修改所述布局以包括蚀刻辅助特征，该蚀刻辅助特征大于图案化过程的分辨率极限且小于蚀刻过程的分辨率极限，该蚀刻辅助特征配置成减小图案化过程或蚀刻过程的偏差，以减小所述布局中的特征的归因于蚀刻过程的蚀刻诱发移位，或者扩展另一个图案化过程的过程窗口。

相关申请的交叉引用

本申请要求2015年12月31日递交的美国申请62/273,666的优先权，该美国申请的全部内容以引用的方式并入本文中。

技术领域

本发明总体上涉及图案化过程，更具体地涉及用于图案化过程的蚀刻辅助特征。

背景技术

图案化过程采用多种形式。示例包括光学光刻、电子束光刻、压印光刻、喷墨印刷、定向自我组装等。这些工艺经常用于制造相对较小、高度复杂的部件，诸如电部件(如集成电路或光伏电池)、光学部件(如数字反射镜装置或波导)和机械部件(如加速计或微流装置)。

图案化过程经常后续有多种类型的消减工艺，诸如干式蚀刻或湿式蚀刻。在许多情况下，图案化过程适用于待蚀刻的层上方的暂时性形成图案的层，并且该暂时性形成图案的层选择性地将下方层曝露于蚀刻中，由此将所述图案转移到该下方层。在一些情况下，各种图案依赖效应使得蚀刻和其他消减工艺跨越图案而产生不均匀的结果。在一些情况下，这些不均匀的结果可能影响装置性能，或者产生不当约束，或者将不当约束强加在过程窗口或设计选择上。

发明内容

以下是本发明的技术的一些方面的非排他的列举。在以下公开中描述了这些和其他方面。

一些方面包括一种工艺或方法，所述工艺或方法包括：获得布局，所述布局至少部分地指定将通过图案化过程和蚀刻过程转移到衬底上的图案；和，利用一个或更多个处理器修改所述布局以包括蚀刻辅助特征，所述蚀刻辅助特征大于所述图案化过程的分辨率极限且小于所述蚀刻过程的分辨率极限，所述蚀刻辅助特征配置成减小所述图案化过程或所述蚀刻过程的偏差，从而减小所述布局中的特征归因于所述蚀刻过程的蚀刻诱发移位，或扩展另一个图案化过程的过程窗口。

一些方面包括一种有形的非暂时性机器可读介质，该介质存储有指令；所述指令在被数据处理设备执行时使得所述数据处理设备执行包括上文所提及的工艺的操作。

一些方面包括一种系统，所述系统包括一个或更多个处理器以及存储器，所述存储器存储有指令，所述指令在被所述处理器执行时使得所述处理器实现上文所提及的工艺或方法的操作。

附图说明

当参考以下附图来阅读本申请时，将会更好地理解本技术的上文所提及的方面和其他方面；在附图中，相似的附图标记表示相似或相同的元件：

图1是光刻系统的框图；

图2是图案化过程和蚀刻过程的模拟模型的线路路径的框图；

图3是具有蚀刻辅助特征的已被图案化的膜叠层的横截面图；

图4是在蚀刻了硬掩模之后图3的已被图案化的膜叠层的横截面图；

图5是在蚀刻了将在硬掩模下方待图案化的层之后图4的已被图案化的膜叠层的横截面图；

图6是示出侧壁变形的已被图案化的膜叠层的横截面图；

图7是具有配置成减轻侧壁变形的蚀刻辅助特征的已被图案化的膜叠层的横截面图；

图8是在蚀刻了硬掩模下方的待图案化的层之后图7的已被图案化的膜叠层的横截面图；

图9是用于将蚀刻辅助特征添加到设计布局的过程的流程图；

图10是利用通过图9的过程设计的的掩模版图案化层的过程的流程图；