[发明专利]蚀刻辅助特征

权利要求书

1.一种方法，包括：

获得布局，所述布局至少部分地指定将通过图案化过程和蚀刻过程转移到衬底上的图案；和

利用一个或更多个处理器修改所述布局以包括蚀刻辅助特征，所述蚀刻辅助特征大于所述图案化过程的分辨率极限且小于所述蚀刻过程的分辨率极限，所述蚀刻辅助特征配置成减小所述图案化过程或所述蚀刻过程的偏差，以减小所述布局中的特征的由于所述蚀刻过程而导致的蚀刻诱发移位，或者扩展另一个图案化过程的过程窗口。

2.如权利要求1所述的方法，包括：

对于所述布局中的特征，确定可归因于所述蚀刻过程的蚀刻偏差将会影响所述特征的所述转移，

其中，修改所述布局包括：通过邻近所述布局中的特征放置所述蚀刻辅助特征，修改所述布局以减小所述蚀刻偏差。

3.如权利要求2所述的方法，其中：

所述蚀刻过程包括干式蚀刻过程，并且

确定所述蚀刻偏差将会影响所述转移包括：估计在所述干式蚀刻过程中能够归因于邻近所述布局中的特征进行的微负载的蚀刻偏差。

4.如权利要求1所述的方法，包括：

基于利用所述图案化过程图案化的抗蚀剂中的估计的膜应力，选择所述布局中的特征，

其中，修改所述布局包括：将所述蚀刻辅助特征定位在一个将会另外地经受所述估计的膜应力的区域中，以减小至少部分地限定所选择的特征的抗蚀剂的变形。

5.如权利要求1所述的方法，包括：

基于利用所述图案化过程图案化的抗蚀剂中的估计的侧壁变形，选择所述布局中的特征，

其中，修改所述布局包括：利用所述蚀刻辅助特征遮蔽所述布局中的特征，以减小至少部分地限定所选择的特征的抗蚀剂的侧壁变形。

6.如权利要求1所述的方法，包括：

基于在所述蚀刻过程中产生的特征的估计的图案移位，选择所述布局中的特征，

其中，修改所述布局包括：将所述蚀刻辅助特征定位在一个区域中，所述蚀刻辅助特征至少部分地中断或停止所述图案移位。

7.如权利要求1所述的方法，其中，所述蚀刻过程包括两步骤蚀刻过程，所述两步骤蚀刻过程包括：在蚀刻位于硬掩模下方的膜之前蚀刻所述硬掩模，并且其中，所述蚀刻辅助特征配置成在所述硬掩模的蚀刻期间转移到所述硬掩模但不转移到位于所述硬掩模下方的所述膜。

8.如权利要求1所述的方法，其中，修改所述布局包括：

获得在所述蚀刻过程期间将被蚀刻的膜的厚度；

获得指示所述蚀刻过程的至少一部分的各向异性的值；和

基于所述膜的厚度和所述值，设置所述蚀刻辅助特征的尺寸和/或定位所述蚀刻辅助特征。

9.如权利要求1所述的方法，包括：

在所述蚀刻过程完成之前确定用于所述衬底的缺陷量测的滤光器的参数，以减少来自所述蚀刻辅助特征的缺陷的误判识别。

10.如权利要求1所述的方法，其中，修改所述布局包括：基于光致抗蚀剂到硬掩模的蚀刻偏差和硬掩模蚀刻偏差两者，设置所述蚀刻辅助特征的尺寸并且定位所述蚀刻辅助特征。

11.如权利要求1所述的方法，其中，所述蚀刻辅助特征的宽度配置成：在所述衬底的至少大部分上，使得所述蚀刻辅助特征变薄但不穿透蚀刻掩蔽层。

12.如权利要求1所述的方法，包括：

在修改所述布局之后，进一步修改所述布局以包括光学邻近效应校正特征，所述光学邻近效应校正特征配置成影响所述图案化过程。