[发明专利]薄膜晶体管阵列面板有效
| 申请号： | 201680078714.1 | 申请日： | 2016-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN109073942B | 公开（公告）日： | 2021-12-28 |
| 发明（设计）人： | 高逸群;林欣桦;施博理;张炜炽;陆一民;吴逸蔚 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;H01L29/786 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 汪飞亚;薛晓伟 |
| 地址： | 518109 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括设置在基底(101)上并定义复合侧面蚀刻轮廓的多层结构。所述多层结构包括设置在基底(101)上且包含含有铟和锌的金属氧化物材料的下子层(105‑1)，所述下子层(105‑1)中的铟和锌含量基本上定义了第一铟与锌含量比；设置在所述下子层上且包含金属材料的中间子层(105‑2)；设置在所述中间子层(105‑2)上且包含含有铟和锌的金属氧化物材料的上子层(105‑3)，所述上子层(105‑3)中铟对锌的含量基本上定义小于所述第一铟与锌含量比的第二铟与锌含量比；以及形成在侧面蚀刻表面上的侧面副产物层，其基本上包含所述中间子层(105‑2)中的金属材料的金属氧化物。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 面板 | ||
【主权项】：
1.一种提供薄膜晶体管阵列面板的方法，包括：在基底上设置沟道材料层，所述沟道材料层包含氧化物半导体材料；设置下子层至少部分重叠由所述沟道材料层限定的垂直投影，所述下子层包含含有铟和锌的导电金属氧化物材料，其中所述底子层中的铟和锌含量基本上定义第一铟与锌含量比；在所述下子层上设置中间子层，所述中间子层包含金属材料；在所述中间子层上设置上子层，所述上子层包含含有铟和锌的导电金属氧化物材料，其中所述上子层中的铟和锌含量基本上定义为小于所述第一铟与锌含量比的第二铟与锌含量比；图案化所述多层导电结构以在其中形成复合侧面蚀刻轮廓，以及在所述多层导电结构和所述沟道材料层的暴露区域上设置钝化层。
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