[发明专利]薄膜晶体管阵列面板

说明书

一种半导体器件包括设置在基底(101)上并定义复合侧面蚀刻轮廓的多层结构。所述多层结构包括设置在基底(101)上且包含含有铟和锌的金属氧化物材料的下子层(105‑1)，所述下子层(105‑1)中的铟和锌含量基本上定义了第一铟与锌含量比；设置在所述下子层上且包含金属材料的中间子层(105‑2)；设置在所述中间子层(105‑2)上且包含含有铟和锌的金属氧化物材料的上子层(105‑3)，所述上子层(105‑3)中铟对锌的含量基本上定义小于所述第一铟与锌含量比的第二铟与锌含量比；以及形成在侧面蚀刻表面上的侧面副产物层，其基本上包含所述中间子层(105‑2)中的金属材料的金属氧化物。

相关申请的交叉引用

本申请主张2016年1月14日提交的美国临时申请62/278448、62/278467和62/278469以及2016年3月21日提交的美国临时申请62/311366的优先权，该些美国临时申请通过引用文献加入本文。

技术领域

本发明总体上涉及显示技术，具体涉及薄膜晶体管(TFT)阵列面板。

背景技术

在平板显示装置中，薄膜晶体管(TFT)被用作像素电极的开关元件。薄型显示面板装置通常包括被布置为传送用于控制薄膜晶体管的扫描信号的栅极线和被布置为传送施加到像素电极的信号的数据线。研究工作致力于提高信号传导能力以实现更高的面板装置的性能。

发明内容

本发明一方面提供一种薄膜晶体管阵列面板，其包括：

基底；

设置在所述基底上且包括栅极的第一导电层；

设置在所述栅极上方并与之绝缘的沟道层；以及

设置在所述沟道层之上的第二导电层，所述第二导电层包括定义源极和漏极的多层部分，其中所述第二导电层的所述多层部分至少包括：

设置在所述沟道层上且与之电性接触的第一子层，

设置在所述第一子层上的第二子层，所述第二子层为金属材料或金属合金材料；以及

设置在所述第二子层上的第三子层；

其中所述源极和所述漏极之间形成有间隙以使二者相互间隔，所述间隙经蚀刻所述第二导电层形成且贯穿所述第一子层、所述第二子层和所述第三子层；

与所述间隙相关联的蚀刻侧面上形成有副产物层，所述副产物层包含所述第二子层中的金属的氧化物。

本发明还提供一种薄膜晶体管阵列面板，其包括：

基底；

设置在所述基底上且包括栅极的第一导电层；

设置在所述栅极上方并与之绝缘的沟道层；以及

设置在所述沟道层之上的第二导电层，所述第二导电层包括定义源极和漏极的多层部分，其中所述第二导电层的所述多层部分至少包括：

设置在所述沟道层上且与之电性接触的第一子层，

设置在所述第一子层上的第二子层，所述第二子层的材质为铜或铜合金；以及

设置在所述第二子层上的第三子层；

其中所述源极和所述漏极之间形成有间隙以使二者相互间隔，所述间隙经蚀刻所述第二导电层形成且贯穿所述第一子层、所述第二子层和所述第三子层；

与所述间隙相关联的蚀刻侧面上形成有副产物层，所述副产物层包含氧化铜。