[发明专利]薄膜晶体管阵列面板

权利要求书

1.一种薄膜晶体管阵列面板，其包括：

基底；

设置在所述基底上且包括栅极的第一导电层；

设置在所述栅极上方并与之绝缘的沟道层；以及

设置在所述沟道层之上的第二导电层，所述第二导电层包括定义源极和漏极的多层部分，其特征在于：所述第二导电层的所述多层部分至少包括：

设置在所述沟道层上且与之电性接触的第一子层，

设置在所述第一子层上的第二子层，所述第二子层为金属材料或金属合金材料；以及

设置在所述第二子层上的第三子层；

其中所述源极和所述漏极之间形成有间隙以使二者相互间隔，所述间隙经蚀刻所述第二导电层形成且贯穿所述第一子层、所述第二子层和所述第三子层；

与所述间隙相关联的蚀刻侧面上形成有副产物层，所述副产物层包含所述第二子层中的金属的氧化物。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，其特征在于：所述侧面副产物层不延伸到由所述第一子层界定的下层边界。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，其特征在于：所述第一子层和所述第三子层均包含含有铟和锌的金属氧化物材料；其中所述第一子层中的铟与锌的含量比大于所述第三子层中的铟与锌的含量比。

4.如权利要求3所述的薄膜晶体管阵列面板，其特征在于：所述第一子层和所述第三子层之间的所述铟与锌含量比的差异不小于20％。

5.如权利要求4所述的薄膜晶体管阵列面板，其特征在于：所述第一子层中的所述铟与锌的含量比在25％至80％的范围内；所述第三子层中的所述铟与锌的含量比在5％至40％的范围内。

6.如权利要求3所述的薄膜晶体管阵列面板，其特征在于：所述蚀刻侧面为倾斜的表面且是光滑的和线性的。

7.如权利要求6所述的薄膜晶体管阵列面板，其特征在于：所述蚀刻侧面表面对应于相对于由所述基底定义的表面成40度至85度的倾斜角度。

8.一种薄膜晶体管阵列面板，其包括：

基底；

设置在所述基底上且包括栅极的第一导电层；

设置在所述栅极上方并与之绝缘的沟道层；以及

设置在所述沟道层之上的第二导电层，所述第二导电层包括定义源极和漏极的多层部分，其特征在于：所述第二导电层的所述多层部分至少包括：

设置在所述沟道层上且与之电性接触的第一子层，

设置在所述第一子层上的第二子层，所述第二子层的材质为铜或铜合金；以及

设置在所述第二子层上的第三子层；

其中所述源极和所述漏极之间形成有间隙以使二者相互间隔，所述间隙经蚀刻所述第二导电层形成且贯穿所述第一子层、所述第二子层和所述第三子层；

与所述间隙相关联的蚀刻侧面上形成有副产物层，所述副产物层包含氧化铜。

9.如权利要求8所述的薄膜晶体管阵列面板，其特征在于：所述侧面副产物层不会到达由所述第一子层界定的下层边界。

10.如权利要求8所述的薄膜晶体管阵列面板，其特征在于：所述第一子层和所述第三子层均包含含有铟和锌的金属氧化物材料，所述第一子层中的铟与锌的含量比大于所述第三子层中的铟与锌的含量比。

11.如权利要求10所述的薄膜晶体管阵列面板，其特征在于：所述第一子层和所述第三子层之间的所述铟与锌含量比的差异不小于20％；所述第一子层中的所述铟与锌的含量比在25％至80％的范围内；所述第三子层中的所述铟与锌的含量比在5％至40％的范围内。

12.如权利要求10所述的薄膜晶体管阵列面板，其特征在于：所述蚀刻侧面为倾斜的表面且是光滑的和线性的；所述蚀刻侧面表面对应于相对于由所述基底定义的表面成40度至85度的倾斜角度。