[发明专利]半导体装置

摘要

半导体装置100包括：栅电极126，配置于沟槽122内，并且，在侧壁的部分经由栅极绝缘膜124与p型基极区域116相对；屏蔽电极130，配置于沟槽122内，并且，位于栅电极126与沟槽122的槽底之间；沟槽22内的电气绝缘区域128，在栅电极126与屏蔽电极130之间扩展，并且进一步地沿沟槽122的侧壁以及槽底扩展后将屏蔽电极130从侧壁以及槽底处隔开；以及源电极134，在与n+型源极区域118电气连接的同时从平面看在沟槽122的两端部上与屏蔽电极130电气连接，其特征在于：屏蔽电极130具有：高电阻区域130a，从平面看位于沟槽122的两端部上；以及低电阻区域130，位于被高电阻区域130a相夹的位置上。其能够抑制振铃以及浪涌电压、抑制失灵、防止开关损耗的增大、并减轻来自于外部的浪涌电压的不良影响。

主权项

1.一种半导体装置，包括：半导体基体，含有：第一导电型漏极区域、与所述漏极区域相邻接的第一导电型漂移区域、与所述漂移区域相邻接的第二导电型基极区域、以及与所述基极区域相邻接的第一导电型源极区域；沟槽，形成在所述半导体基体内，具有与所述漂移区域相邻接的槽底、以及与所述基极区域和所述漂移区域相邻接的侧壁，并且从平面上看被形成为条纹状；栅电极，配置于所述沟槽内，并且，在所述侧壁的部分经由栅极绝缘膜与所述基极区域相对；屏蔽电极，配置于所述沟槽内，并且，位于所述栅电极与所述沟槽的所述槽底之间；所述沟槽内的电气绝缘区域，在所述栅电极与所述屏蔽电极之间扩展，并且进一步地沿所述沟槽的所述侧壁以及所述槽底扩展后将所述屏蔽电极从所述侧壁以及所述槽底处隔开；源电极，形成在所述半导体基体的上方，在与所述源极区域电气连接的同时，从平面看在所述沟槽的两端部中的至少一方处与所述屏蔽电极电气连接；以及漏电极，与所述漏极区域相邻接后形成，其特征在于：所述屏蔽电极具有：高电阻区域，从平面看位于所述沟槽的两端部中与所述源电极电气连接的端部上；以及低电阻区域，从所述源电极看位于比所述高电阻区域更远的位置上。