[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

半导体基体，含有：第一导电型漏极区域、与所述漏极区域相邻接的第一导电型漂移区域、与所述漂移区域相邻接的第二导电型基极区域、以及与所述基极区域相邻接的第一导电型源极区域；

沟槽，形成在所述半导体基体内，具有与所述漂移区域相邻接的槽底、以及与所述基极区域和所述漂移区域相邻接的侧壁，并且从平面上看被形成为条纹状；

栅电极，配置于所述沟槽内，并且，在所述侧壁的部分经由栅极绝缘膜与所述基极区域相对；

屏蔽电极，配置于所述沟槽内，并且，位于所述栅电极与所述沟槽的所述槽底之间；

所述沟槽内的电气绝缘区域，在所述栅电极与所述屏蔽电极之间扩展，并且进一步地沿所述沟槽的所述侧壁以及所述槽底扩展后将所述屏蔽电极从所述侧壁以及所述槽底处隔开；

源电极，形成在所述半导体基体的上方，在与所述源极区域电气连接的同时，从平面看在所述沟槽的两端部中的至少一方处与所述屏蔽电极电气连接；以及

漏电极，与所述漏极区域相邻接后形成，

其特征在于：

所述屏蔽电极具有：高电阻区域，从平面看位于所述沟槽的两端部中与所述源电极电气连接的端部上；以及低电阻区域，从所述源电极看位于比所述高电阻区域更远的位置上。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

其中，所述高电阻区域以及所述低电阻区域均由含有掺杂物的同一半导体材料所构成，并且所述低电阻区域的掺杂物浓度高于所述高电阻区域的掺杂物浓度。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

其中，所述高电阻区域以及所述低电阻区域分别由不同的材料所构成，并且构成所述低电阻区域的材料的电阻率低于构成所述高电阻区域的材料的电阻率。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

其中，所述高电阻区域以及所述低电阻区域由同一材料所构成，并且以与所述沟槽的长度方向相垂直的平面进行切割后的所述高电阻区域的截面积，小于以与所述沟槽的长度方向相垂直的平面进行切割后的所述低电阻区域的截面积。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

其中，所述高电阻区域以及所述低电阻区域均由含有掺杂物的同一半导体材料所构成，所述低电阻区域包含：比所述高电阻区域更加含有高浓度掺杂物的，并且沿所述沟槽的长度方向延伸的高浓度掺杂物区域。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

其中，所述高电阻区域以及所述低电阻区域均由含有掺杂物的同一半导体材料所构成，并且，包含沿所述沟槽的长度方向延伸的高浓度掺杂物区域，

以与所述沟槽的长度方向相垂直的平面进行切割后的所述高电阻区域的截面积小于以与所述沟槽的长度方向相垂直的平面进行切割后的所述低电阻区域的截面积。

7.根据权利要求1至6中任意一项所述的半导体装置，其特征在于：

其中，在所述屏蔽电极中，从平面看与芯片的边邻接延伸的所述屏蔽电极全部由所述高电阻区域所构成。

8.根据权利要求1至7中任意一项所述的半导体装置，其特征在于：

其中，在所述屏蔽电极中，从平面看与栅极焊盘的边邻接延伸的所述屏蔽电极的从平面看与所述栅极焊盘的边邻接延伸的部分由所述高电阻区域所构成。

9.根据权利要求1至8中任意一项所述的半导体装置，其特征在于：

其中，在所述屏蔽电极的两端部中与所述源电极相连接的端部上，形成有用于将所述屏蔽电极与所述源电极电气连接的接触结构。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于：

其中，所述接触结构形成在电阻比所述高电阻区域更低的第二低电阻区域上。

11.根据权利要求1至10中任意一项所述的半导体装置，其特征在于：

其中，所述源电极从平面看在所述沟槽的两端部上与所述屏蔽电极电气连接，

所述高电阻区域从平面看位于所述沟槽的两端部，

所述低电阻区域位于被所述高电阻区域相夹的位置上。