[发明专利]三维垂直存储器阵列单元结构及工艺在审
| 申请号： | 201680078253.8 | 申请日： | 2016-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN108431893A | 公开（公告）日： | 2018-08-21 |
| 发明（设计）人： | 许富菖 | 申请（专利权）人： | 许富菖 |
| 主分类号： | G11C11/063 | 分类号： | G11C11/063;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 何冲;黄隶凡 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 三维垂直存储器阵列单元结构及工艺。在示例性实施例中，单元结构包括字线、选择器层以及存储器层。字线、选择器层及存储器层形成垂直单元结构，在该垂直单元结构中，选择器层和存储器层中的至少一个被分段，以形成阻止字线上的潜行路径泄漏电流的分段。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器层 单元结构 选择器 字线 垂直存储器阵列 垂直单元 分段 三维 泄漏电流 | ||
【主权项】：
1.一种装置，包括：字线；选择器层；以及存储器层，其中所述字线、所述选择器层和所述存储器层形成垂直单元结构，并且其中所述选择器层和所述存储器层中的至少一个被分段，以形成阻止字线上的潜行路径泄漏电流的分段。
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