[发明专利]三维垂直存储器阵列单元结构及工艺

权利要求书

1.一种装置，包括：

字线；

选择器层；以及

存储器层，其中所述字线、所述选择器层和所述存储器层形成垂直单元结构，并且其中所述选择器层和所述存储器层中的至少一个被分段，以形成阻止字线上的潜行路径泄漏电流的分段。

2.根据权利要求1的装置，其特征在于，还包括与所述字线相交的位线。

3.根据权利要求2的装置，其特征在于，所述选择器层被分段以形成选择器分段。

4.根据权利要求3的装置，其特征在于，所述垂直单元结构包括与所述位线耦接的所述存储器层以及在所述存储器层和所述字线之间耦接的所述选择器分段。

5.根据权利要求2的装置，其特征在于，所述存储器层被分段以形成存储器分段。

6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述垂直单元结构包括与所述位线耦接的所述选择器层以及在所述选择器层和所述字线之间耦接的所述存储器分段。

7.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述存储器被分段以形成存储器分段，并且所述选择器层被分段以形成选择器分段。

8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述垂直单元结构包括与所述位线耦接的选择器分段以及在所述选择器分段和所述字线之间耦接的所述存储器分段。

9.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述垂直单元结构包括与所述位线耦接的存储器分段以及在所述存储器分段和所述字线之间耦接的所述选择器分段。

10.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述潜行路径泄漏电流包括，当所述存储器单元处于截止状态时，在所述字线上流动的电流。

11.一种形成垂直存储器结构的方法，包括：

形成层堆叠，所述层堆叠包括字线层和绝缘体层；

形成穿过所述层堆叠的开口，以暴露所述字线层的内表面；

将第一材料沉积在所述字线层的所述内表面上，其中所述第一材料为选择器材料和存储器材料的其中一种，其中所述沉积形成第一材料的分段，并且其中各分段沉积在对应的字线层的相应的内表面上；

将第二材料沉积在所述第一材料上，其中所述第二材料是所述选择器材料和所述存储器材料中未被用作所述第一材料的其中一种；以及

将位线材料沉积在所述第二材料上。

12.根据权利要求11的方法，其特征在于，所述第一材料的所述沉积包括：

从所述字线的所述内表面移除部分所述字线层，以形成内部开口区域；以及

用所述第一材料填充所述内部开口区域，以形成所述第一材料的所述分段。

13.根据权利要求11的方法，其特征在于，所述第一材料是所述选择器材料，且所述第二材料是所述存储器材料。

14.根据权利要求11的方法，其特征在于，所述第一材料是所述存储器材料，且所述第二材料是所述选择器材料。

15.根据权利要求11的方法，其特征在于，所述第二材料的所述沉积包括，沉积所述第二材料，以形成所述第二材料的分段，并且其中所述第二材料的各分段沉积在所述第一材料的对应的分段上。