[发明专利]垂直晶体管的可变栅极长度有效
| 申请号： | 201680070897.2 | 申请日： | 2016-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN108292681B | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | B·A·安德森;E·诺瓦克 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/335;H01L21/8232 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 于静;张亚非 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于制造垂直FET结构的方法包括：在将栅极沉积在半导体衬底上的第一垂直FET上之前，在半导体衬底上的第一垂直FET上沉积第一层。所述方法还包括在将栅极沉积在半导体衬底上的第二垂直FET上之前，在半导体衬底上的第二垂直FET上沉积第二层。所述方法还包括将第一垂直FET上的第一层蚀刻到比第二垂直FET上的第二层更低的高度。所述方法还包括在第一垂直FET和第二垂直FET两者上沉积栅极材料。所述方法还包括将第一垂直FET和第二垂直FET两者上的栅极材料蚀刻到共面高度。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 晶体管 可变 栅极 长度 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括形成在半导体衬底上的第一垂直场效应晶体管(FET)和形成在所述半导体衬底上的第二垂直FET；所述第一垂直FET具有与所述第二垂直FET的栅极高度共面的栅极高度；所述第一垂直FET包括在所述第一垂直FET上的栅极下方的第一层；所述第二垂直FET包括在所述第二垂直FET上的栅极下方的第二层；其中所述第一垂直FET上的栅极下方的第一层和所述第二垂直FET上的栅极下方的第二层包括第一半导体材料；其中所述第二垂直FET上的栅极下方的层与所述第一垂直FET上的栅极下方的层不共面；以及其中所述第一垂直FET上的栅极的底部与所述第二垂直FET上的栅极的底部不共面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司，未经国际商业机器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201680070897.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：碳化硅半导体装置
- 下一篇：半导体装置以及半导体装置的制造方法
- 同类专利
- 专利分类
