[发明专利]垂直晶体管的可变栅极长度

权利要求书

1.一种半导体结构，包括

形成在半导体衬底上的第一垂直场效应晶体管(FET)和形成在所述半导体衬底上的第二垂直FET；

所述第一垂直FET具有与所述第二垂直FET的栅极高度共面的栅极高度；

所述第一垂直FET包括在所述第一垂直FET上的栅极下方的第一层；

所述第二垂直FET包括在所述第二垂直FET上的栅极下方的第二层；

其中所述第一垂直FET上的栅极下方的第一层和所述第二垂直FET上的栅极下方的第二层包括第一半导体材料；

其中所述第二垂直FET上的栅极下方的层与所述第一垂直FET上的栅极下方的层不共面；以及

其中所述第一垂直FET上的栅极的底部与所述第二垂直FET上的栅极的底部不共面，

其中所述第一垂直FET上的栅极下方的第一层和所述第二垂直FET上的栅极下方的第二层包括间隔件，其中所述第一垂直FET的间隔件和所述第二垂直FET的间隔件具有不同的厚度。

2.如权利要求1所述的结构，其中所述第一垂直FET上的栅极下方的第一层和所述第二垂直FET上的栅极下方的第二层还包括源极，其中所述第一垂直FET的栅极下方的源极顶部与所述第二垂直FET的栅极下方的源极顶部不共面。

3.如权利要求1所述的结构，其中所述第一垂直FET上的栅极下方的第一层和所述第二垂直FET上的栅极下方的第二层还包括漏极，其中所述第一垂直FET的栅极下方的漏极顶部和所述第二垂直FET的栅极下方的漏极顶部不共面。

4.如权利要求1所述的结构，其中所述第一垂直FET上的栅极下方的第一层和所述第二垂直FET上的栅极下方的第二层还包括高K电介质，其中所述第一垂直FET的高K电介质和所述第二垂直FET的高K电介质具有不同的厚度。

5.如权利要求1所述的结构，其中所述第一垂直FET上的栅极下方的第一层和所述第二垂直FET上的栅极下方的第二层还包括高K电介质，其中所述第一垂直FET的高K电介质包括垂直部分和水平部分，以及所述第二垂直FET的高K电介质包括垂直部分。

6.一种半导体结构，包括

形成在半导体衬底上的第一垂直场效应晶体管(FET)和形成在所述半导体衬底上的第二垂直FET；

所述第一垂直FET具有与所述第二垂直FET的栅极高度不共面的栅极高度；

所述第一垂直FET包括所述第一垂直FET上的栅极上方的第一层；和

所述第二垂直FET包括在所述第二垂直FET上的栅极之上的第二层；以及

其中所述第一垂直FET上的栅极的底部与所述第二垂直FET上的栅极的底部共面，

其中所述第一垂直FET上的栅极上方的第一层和所述第二垂直FET上的栅极上方的第二层包括间隔件，其中所述第一垂直FET的间隔件与所述第二垂直FET的间隔件具有不同的厚度和共面高度。

7.一种用于制造垂直场效应晶体管(FET)结构的方法，所述方法包括：

在将栅极沉积在半导体衬底上的第一垂直FET上之前，在所述半导体衬底上的第一垂直FET上沉积第一层；

在将栅极沉积在半导体衬底上的第二垂直FET上之前，在所述半导体衬底上的第二垂直FET上沉积第二层；

将所述第一垂直FET上的第一层蚀刻至比所述第二垂直FET上的第二层更低的高度；

在所述第一垂直FET和所述第二垂直FET两者上沉积栅极材料；并且

将所述第一垂直FET和所述第二垂直FET两者上的栅极材料蚀刻至共面高度，

其中所述第一层和所述第二层包括间隔件，所述第一垂直FET的间隔件和所述第二垂直FET的间隔件具有不同的厚度。

8.如权利要求7所述的方法，其中所述第一层和所述第二层还包括源极。

9.如权利要求7所述的方法，其中所述第一层和所述第二层还包括漏极。