[发明专利]场效应晶体管和半导体器件有效
| 申请号： | 201680064185.X | 申请日： | 2016-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN108352325B | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 巽孝明 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴孟秋 |
| 地址： | 日本国神奈川*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的目的是提供ESD抵抗力提高的一种场效应晶体管和半导体器件。一种场效应晶体管包括：栅极，其设置在半导体衬底的第一导电类型区域上，在所述栅极和所述第一导电类型区域之间设置有绝缘膜；第二导电类型的源区，其设置在跨所述栅极的两侧中的一侧的所述半导体衬底中；所述第二导电类型的漏区，其设置在所述两侧中的另一侧的所述半导体衬底中，所述另一侧跨所述栅极面对所述一侧；所述第一导电类型的第一区域设置在所述漏区下方并且具有比所述第一导电类型区域高的浓度；所述第一导电类型的第二区域设置成达到另一侧的所述半导体衬底的表面并且具有比所述第一导电类型区域高的浓度；以及引出电极，其连接到所述第二区域。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种场效应晶体管，其包括：栅极，其设置在半导体衬底的第一导电类型区域上，在所述栅极和所述第一导电类型区域之间设置有绝缘膜；第二导电类型的源区，其设置在跨所述栅极的两侧中的一侧的所述半导体衬底中；所述第二导电类型的漏区，其设置在所述两侧中的另一侧的所述半导体衬底中，所述另一侧跨所述栅极面对所述一侧；所述第一导电类型的第一区域设置在所述漏区下方并且具有比所述第一导电类型区域高的浓度；所述第一导电类型的第二区域设置成达到所述另一侧的所述半导体衬底的表面并且具有比所述第一导电类型区域高的浓度；以及引出电极，其连接到所述第二区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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