[发明专利]场效应晶体管和半导体器件

说明书

本发明的目的是提供ESD抵抗力提高的一种场效应晶体管和半导体器件。一种场效应晶体管包括：栅极，其设置在半导体衬底的第一导电类型区域上，在所述栅极和所述第一导电类型区域之间设置有绝缘膜；第二导电类型的源区，其设置在跨所述栅极的两侧中的一侧的所述半导体衬底中；所述第二导电类型的漏区，其设置在所述两侧中的另一侧的所述半导体衬底中，所述另一侧跨所述栅极面对所述一侧；所述第一导电类型的第一区域设置在所述漏区下方并且具有比所述第一导电类型区域高的浓度；所述第一导电类型的第二区域设置成达到另一侧的所述半导体衬底的表面并且具有比所述第一导电类型区域高的浓度；以及引出电极，其连接到所述第二区域。

技术领域

本公开涉及一种场效应晶体管和半导体器件。

背景技术

近年来，随着半导体器件的结构变得更加精细，ESD会造成故障或断路，保护半导体器件免受静电放电(ESD)变得越来越重要。

例如，下面的专利文献1公开了一种ESD保护元件，包括并联连接的金属氧化物半导体(MOS)晶体管和二极管。

引用列表

专利文献

专利文献1：JP 2012-94565A

发明内容

技术问题

然而，专利文献1中公开的技术造成生产成本增加，因为需要额外提供二极管和MOS晶体管作为ESD保护元件。

因此，本公开提出了一种新型改进的场效应晶体管和半导体器件，能够更容易提高其ESD抵抗力。

问题的解决方案

根据本公开，提供了一种场效应晶体管，其包括：栅极，其设置在半导体衬底的第一导电类型区域上，在所述栅极和所述第一导电类型区域之间设置有绝缘膜；第二导电类型的源区，其设置在跨所述栅极的两侧中的一侧的所述半导体衬底中；第二导电类型的漏区，其设置在所述两侧中的另一侧的所述半导体衬底中，所述另一侧跨所述栅极面对所述一侧；所述第一导电类型的第一区域设置在所述漏区下方并且具有比所述第一导电类型区域高的浓度；所述第一导电类型的第二区域设置成达到另一侧的所述半导体衬底的表面并且具有比所述第一导电类型区域高的浓度；以及引出电极，其连接到所述第二区域。

另外，根据本公开，提供了一种半导体器件，其包括场效应晶体管，所述场效应晶体管包括：栅极，其设置在半导体衬底的第一导电类型区域上，在所述栅极和所述第一导电类型区域之间设置有绝缘膜；第二导电类型的源区，其设置在跨所述栅极的两侧中的一侧的所述半导体衬底中；第二导电类型的漏区，其设置在所述两侧中的另一侧的所述半导体衬底中，所述另一侧跨所述栅极面对所述一侧；所述第一导电类型的第一区域设置在所述漏区下方并且具有比所述第一导电类型区域高的浓度；所述第一导电类型的第二区域设置成达到另一侧的所述半导体衬底的表面并且具有比所述第一导电类型区域高的浓度；以及引出电极，其连接到所述第二区域。

根据本公开，可防止场效应晶体管在由于ESD引起的击穿之后执行双极性运行；因此，可防止场效应晶体管因伴随双极性运行的发热而被破坏。

本发明的有利效果

如上所述，根据本公开，能够更容易提高场效应晶体管和半导体器件的 ESD抵抗力。

注意的是，上述效果不一定是限制性的。利用或代替以上效果，可实现本说明书中描述的效果中的任何一种效果或者可以从本说明书中掌握的其他效果。

附图说明

[图1]图1是沿着衬底厚度方向截取的根据比较例的场效应晶体管的剖视图。

[图2A]图2A是示出图1中例示的场效应晶体管的电流分布的模拟结果的剖视图。

[图2B]图2B是示出设置有ESD耐受区域的场效应晶体管的电流分布的模拟结果的剖视图。