[发明专利]场效应晶体管和半导体器件有效
| 申请号： | 201680064185.X | 申请日： | 2016-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN108352325B | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 巽孝明 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴孟秋 |
| 地址： | 日本国神奈川*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 半导体器件 | ||
1.一种场效应晶体管，其包括：
栅极，其设置在半导体衬底的特定区域上，所述特定区域为第一导电类型，在所述栅极和所述特定区域之间设置有绝缘膜；
第二导电类型的源区，其设置在跨所述栅极的两侧中的一侧的所述半导体衬底中；
所述第二导电类型的漏区，其设置在所述两侧中的另一侧的所述半导体衬底中，所述另一侧跨所述栅极面对所述一侧；
所述半导体衬底中的所述第一导电类型的第一区域与所述漏区直接相邻，其中，所述第一区域具有比所述特定区域高的浓度；
所述第一导电类型的第二区域与所述半导体衬底的上表面接触，其中，所述第二区域在所述另一侧上，并且所述第二区域具有比所述第一区域高的浓度；以及 引出电极，其连接到所述第二区域。
2.根据权利要求 1 所述的场效应晶体管，其中，所述第二区域设置在相对于所述第一区域的从平面图看限定所述栅极的栅长度的方向上。
3.根据权利要求 1 所述的场效应晶体管，其中，所述第二区域设置在相对于所述第一区域的与从平面图看限定所述栅极的栅长度的方向正交的方向上。
4.根据权利要求 1 所述的场效应晶体管，其中，所述第二区域设置在比设置所述漏区的区域深度浅的区域中。
5.根据权利要求 1 所述的场效应晶体管，其中，所述第二区域和所述漏区设置成彼此分开。
6.根据权利要求 1 所述的场效应晶体管，其中，所述漏区、所述第一区域和所述第二区域设置成彼此相邻。
7.根据权利要求 1 所述的场效应晶体管，还包括：
第二导电类型的低浓度区域，其设置在所述栅极的所述另一侧，与所述漏区相邻并且具有比所述漏区低的浓度，
其中，所述第一区域设置在从平面图看不与所述低浓度区域重叠的区域中。
8.一种半导体器件，其包括：
场效应晶体管，其包括：
栅极，其设置在半导体衬底的特定区域上，所述特定区域为第一导电类型，在所述栅极和所述特定区域之间设置有绝缘膜，
第二导电类型的源区，其设置在跨所述栅极的两侧中的一侧的所述半导体衬底中，
所述第二导电类型的漏区，其设置在所述两侧中的另一侧的所述半导体衬底中，所述另一侧跨所述栅极面对所述一侧，
所述半导体衬底中的所述第一导电类型的第一区域与所述漏区直接相邻，其中，所述第一区域具有比所述特定区域高的浓度，
所述第一导电类型的第二区域与所述半导体衬底的上表面接触，其中，所述第二区域在所述另一侧上，并且所述第二区域具有比所述第一区域高的浓度，以及
引出电极，其连接到所述第二区域。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼半导体解决方案公司，未经索尼半导体解决方案公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201680064185.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
