[发明专利]功率半导体装置在审
申请号: | 201680063850.3 | 申请日: | 2016-12-07 |
公开(公告)号: | CN108352380A | 公开(公告)日: | 2018-07-31 |
发明(设计)人: | 诹访时人;船场诚司 | 申请(专利权)人: | 日立汽车系统株式会社 |
主分类号: | H01L25/07 | 分类号: | H01L25/07;H01L23/28;H01L23/29;H01L25/18 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 金成哲;郭成周 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 在合模时对基板与输入输出端子的连接部分施加过大的应力,存在接合部分脱离、在基板上产生裂纹的可能性。功率半导体元件(11)的下面电极通过接合件(13)与功率半导体元件(11)的下面的第一配线层(12)连接,功率半导体元件(11)的上面电极(14)通过接合件(13)与上面的第二配线层(15)连接。另外,与功率半导体元件(11)的上面电极(14)电连接的第二主端子(16)通过接合件(13)与第二配线层(15)连接,并且,与并列设置于下面的第一配线层(12)上的第三配线层(24)、即衬垫接触地进行定位。在第一配线层(12)~第三配线层(24)各自的与接合件(13)的相反面上层叠有绝缘层(26),在绝缘层(26)上层叠有散热层(27)。 | ||
搜索关键词: | 配线层 功率半导体元件 接合件 绝缘层 上面电极 功率半导体装置 输入输出端子 并列设置 电连接 对基板 合模时 接合部 散热层 主端子 电极 基板 上层 施加 脱离 | ||
【主权项】:
1.一种功率半导体装置,其特征在于,具备:具有上面电极以及下面电极的半导体元件;第一配线层,其以与上述半导体元件的上述下面电极对置的方式配置,并通过接合件与上述半导体元件的上述下面电极连接;第二配线层,其以与上述半导体元件的上述上面电极对置的方式配置,并通过接合件与上述半导体元件的上述上面电极连接;通过接合件与上述第一配线层连接的第一主端子;通过接合件与上述第二配线层连接的第二主端子;以及衬垫,上述衬垫与上述第一配线层或上述第二配线层并列设置,载置上述第一主端子或上述第二主端子。
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