[发明专利]用于半导体制造的晶片处理的高生产率PECVD工具在审
| 申请号: | 201680058670.6 | 申请日: | 2016-10-11 |
| 公开(公告)号: | CN108140551A | 公开(公告)日: | 2018-06-08 |
| 发明(设计)人: | 琳·张;路雪松;安德鲁·V·勒;原铮;吴昌锡;约瑟夫·杰米尔·法拉;王荣平 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
| 主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67;H01L21/677;H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | 本揭示案的实施方式大体涉及用于处理半导体基板的群集工具。在一个实施方式中,群集工具包含多个处理腔室,所述多个处理腔室连接至传送腔室,且每一处理腔室可同时处理四个或更多个基板。为了降低成本,每一处理腔室包含:基板支撑件,用于支撑四个或更多个基板;单一喷淋头,所述喷淋头设置于所述基板支撑件之上;及电气地耦接至所述喷淋头的单一射频电源。所述喷淋头可包含面对基板支撑件的第一表面及与第一表面相对的第二表面。多个气体通路可形成在喷淋头中且从第一表面延伸至第二表面。通过从喷淋头中央至喷淋头边缘增加气体通路的密度而改良处理均匀性。 | ||
| 搜索关键词: | 喷淋头 处理腔室 第一表面 基板支撑件 第二表面 多个基板 气体通路 群集工具 半导体基板 半导体制造 处理均匀性 传送腔室 晶片处理 面对基板 射频电源 电气地 支撑件 耦接 改良 延伸 支撑 | ||
【主权项】:
一种群集工具,包括:传送腔室;装载锁定腔室,所述装载锁定腔室耦接至所述传送腔室;及多个处理腔室,所述多个处理腔室耦接至所述传送腔室,其中所述多个处理腔室的每一处理腔室包括:腔室壁;基板支撑组件,所述基板支撑组件设置于所述腔室壁内,其中所述基板支撑组件包括四个或更多个基板支撑件;及喷淋头,所述喷淋头设置于所述腔室壁内,其中所述喷淋头设置于所述四个或更多个基板支撑件之上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





