[发明专利]用于半导体制造的晶片处理的高生产率PECVD工具

说明书

本揭示案的实施方式大体涉及用于处理半导体基板的群集工具。在一个实施方式中，群集工具包含多个处理腔室，所述多个处理腔室连接至传送腔室，且每一处理腔室可同时处理四个或更多个基板。为了降低成本，每一处理腔室包含：基板支撑件，用于支撑四个或更多个基板；单一喷淋头，所述喷淋头设置于所述基板支撑件之上；及电气地耦接至所述喷淋头的单一射频电源。所述喷淋头可包含面对基板支撑件的第一表面及与第一表面相对的第二表面。多个气体通路可形成在喷淋头中且从第一表面延伸至第二表面。通过从喷淋头中央至喷淋头边缘增加气体通路的密度而改良处理均匀性。

技术领域

本揭示案的实施方式大体涉及用于处理半导体基板的群集工具。

背景技术

在半导体处理中基板生产量一直是挑战。若要技术进步，则半导体基板持续需要被有效率地处理。群集工具已被开发为用于同时处理多个基板而不中断真空的有效手段。替代处理单一基板接着在传送至另一腔室期间使该基板暴露于大气，多个处理腔室可连接至共用传送腔室，使得当一个处理腔室中基板上完成处理时，可在仍处于真空下的同时移除基板至耦接至同一传送腔室的另一处理腔室。

为了进一步提高生产量及降低成本，每个处理腔室可能够一次处理多于一个基板，比如两个基板。然而，当在处理腔室中一次处理多于一个基板时，均匀性可变成问题。

因此，需要针对增加生产量、降低成本及维持处理均匀性的改良的群集工具。

发明内容

本揭示案的实施方式大体涉及用于处理半导体基板的群集工具。在一个实施方式中，群集工具包含多个处理腔室，所述多个处理腔室连接至传送腔室，且每一处理腔室可同时处理四个或更多个基板。为了降低成本，每一处理腔室包含：基板支撑件，所述基板支撑件用于支撑四个或更多个基板；单一喷淋头，所述喷淋头设置于所述基板支撑件之上；及电气地耦接至所述喷淋头的单一射频电源。所述喷淋头可包含面对基板支撑件的第一表面和与第一表面相对的第二表面。多个气体通路可形成在喷淋头中且从第一表面延伸至第二表面。通过从喷淋头中央至喷淋头边缘增加气体通路的密度而改良处理均匀性。

在另一实施方式中，群集工具包含：传送腔室；装载锁定腔室，所述装载锁定腔室耦接至所述传送腔室；及多个处理腔室，所述多个处理腔室耦接至所述传送腔室。所述多个处理腔室的每一处理腔室包含腔室壁及基板支撑组件，所述基板支撑组件设置于所述腔室壁内。所述基板支撑组件包含四个或更多个基板支撑件。所述处理腔室进一步包含一喷淋头，所述喷淋头设置于所述腔室壁内，且所述喷淋头设置在所述四个或更多个基板支撑件之上。

在另一实施方式中，群集工具包含：传送腔室；装载锁定腔室，所述装载锁定腔室耦接至所述传送腔室；及多个处理腔室，所述多个处理腔室耦接至所述传送腔室。所述多个处理腔室的每一处理腔室包含腔室壁及基板支撑组件，所述基板支撑组件设置于所述腔室壁内。所述基板支撑组件包含四个或更多个基板支撑件。所述处理腔室进一步包含一喷淋头，所述喷淋头设置于所述腔室壁内。所述喷淋头包含面对基板支撑组件的第一表面，且所述第一表面具有曲度。

在另一实施方式中，群集工具包含：传送腔室；装载锁定腔室，所述装载锁定腔室耦接至所述传送腔室；及多个处理腔室，所述多个处理腔室耦接至所述传送腔室。所述多个处理腔室的每一处理腔室包含腔室壁及基板支撑组件，所述基板支撑组件设置于所述腔室壁内。所述基板支撑组件包含四个或更多个基板支撑件。所述处理腔室进一步包含一喷淋头，所述喷淋头设置于所述腔室壁内。所述喷淋头包含面对基板支撑组件的第一表面、与第一表面相对的第二表面及从第一表面延伸至第二表面的多个气体通路。所述多个气体通路的每一气体通路包括：第一孔；孔洞(orifice hole)，所述孔洞耦接至所述第一孔；及第二孔，所述第二孔耦接至所述孔洞。