[发明专利]用于半导体制造的晶片处理的高生产率PECVD工具

权利要求书

1.一种群集工具，包括：

传送腔室；

装载锁定腔室，所述装载锁定腔室耦接至所述传送腔室；及

多个处理腔室，所述多个处理腔室耦接至所述传送腔室，其中所述多个处理腔室的每一处理腔室包括：

腔室壁；

基板支撑组件，所述基板支撑组件设置于所述腔室壁内，其中所述基板支撑组件包括四个或更多个基板支撑件；及

喷淋头，所述喷淋头设置于所述腔室壁内，其中所述喷淋头设置于所述四个或更多个基板支撑件之上。

2.如权利要求1所述的群集工具，其中所述多个处理腔室包含六个处理腔室。

3.如权利要求1所述的群集工具，其中所述喷淋头包含面对所述基板支撑组件的第一表面，及与所述第一表面相对的第二表面。

4.如权利要求3所述的群集工具，其中所述第一表面具有曲度。

5.如权利要求1所述的群集工具，其中所述基板支撑组件进一步包括主要支撑件和在所述主要支撑件与每一基板支撑件之间形成的间隙。

6.如权利要求1所述的群集工具，其中每一处理腔室进一步包括：

盖；

匹配网络，所述匹配网络设置于所述盖之上；

背板，所述背板耦接至所述喷淋头；及

柔性射频馈送，所述柔性射频馈送从所述匹配网络延伸至所述背板，其中所述柔性射频馈送相对于所述处理腔室的垂直轴成角度。

7.如权利要求6所述的群集工具，其中所述背板包括面对所述盖的表面及位于所述背板的所述表面上的多个位置，其中所述多个位置中之一连接至所述柔性射频馈送。

8.一种群集工具，包括：

传送腔室；

装载锁定腔室，所述装载锁定腔室耦接至所述传送腔室；及

多个处理腔室，所述多个处理腔室耦接至所述传送腔室，其中所述多个处理腔室的每一处理腔室包括：

腔室壁；

基板支撑组件，所述基板支撑组件设置于所述腔室壁内，其中所述基板支撑组件包括四个或更多个基板支撑件；及

喷淋头，所述喷淋头设置于所述腔室壁内，其中所述喷淋头包括面对所述基板支撑组件的第一表面，其中所述第一表面具有曲度。

9.如权利要求8所述的群集工具，其中所述喷淋头进一步包含与所述第一表面相对的第二表面。

10.如权利要求9所述的群集工具，其中所述喷淋头进一步包括多个气体通路，所述多个气体通路从所述第一表面延伸至所述第二表面。

11.如权利要求10所述的群集工具，其中所述多个气体通路的每一气体通路包括：

第一孔；

孔洞，所述孔洞耦接至所述第一孔；及

第二孔，所述第二孔耦接至所述孔洞。

12.如权利要求8所述的群集工具，其中所述四个或更多个基板支撑件的每一基板支撑件为可旋转的。

13.如权利要求12所述的群集工具，其中所述四个或更多个基板支撑件的每一基板支撑件能够在一个方向上连续旋转。

14.如权利要求12所述的群集工具，其中所述四个或更多个基板支撑件的每一基板支撑件能够在相反方向上摆动。

15.一种群集工具，包括：

传送腔室；

装载锁定腔室，所述装载锁定腔室耦接至所述传送腔室；及

多个处理腔室，所述多个处理腔室耦接至所述传送腔室，其中所述多个处理腔室的每一处理腔室包括：

腔室壁；

基板支撑组件，所述基板支撑组件设置于所述腔室壁内，其中所述基板支撑组件包括四个基板支撑件；及

喷淋头，所述喷淋头设置于所述腔室壁内，其中所述喷淋头包括：

第一表面，所述第一表面面对所述基板支撑组件；

第二表面，所述第二表面与所述第一表面相对；及

多个气体通路，所述多个气体通路从所述第一表面延伸至所述第二表面，其中所述多个气体通路的每一气体通路包括：

第一孔；

孔洞，所述孔洞耦接至所述第一孔；及

第二孔，所述第二孔耦接至所述孔洞。