[发明专利]半导体传感器装置及其制造方法有效
申请号: | 201680054391.2 | 申请日: | 2016-08-03 |
公开(公告)号: | CN108027293B | 公开(公告)日: | 2021-03-16 |
发明(设计)人: | 金野雄志;菊地广;宫岛健太郎;出川宗里 | 申请(专利权)人: | 日立汽车系统株式会社 |
主分类号: | G01L9/00 | 分类号: | G01L9/00;H01L29/84 |
代理公司: | 上海华诚知识产权代理有限公司 31300 | 代理人: | 肖华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种高性能的半导体传感器装置及其制造方法。本发明的半导体传感器装置具有传感器芯片和形成于所述传感器芯片的第一薄膜,所述传感器芯片隔着所述第一薄膜与形成于多晶材料的底座的第二薄膜机械性地连接。 | ||
搜索关键词: | 半导体 传感器 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体传感器装置,其特征在于,具有传感器芯片和形成于所述传感器芯片的第一薄膜,所述传感器芯片隔着所述第一薄膜与形成于多晶材料的底座的第二薄膜机械性地连接。
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