[发明专利]半导体传感器装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体传感器装置，其特征在于，

具有传感器芯片和形成于所述传感器芯片的第一薄膜，

所述传感器芯片隔着所述第一薄膜与形成于多晶材料的底座的第二薄膜机械性地连接，

所述第一薄膜与所述第二薄膜的接合是在所述半导体传感器装置的使用温度下进行的，

所述底座包括凸部，所述凸部在因所述底座的母材中所含的成分的氧化而生成的钝态膜的厚度范围内对所述底座表面的凸部区域进行去除加工而形成，

所述凸部包括设置在其上的钝态膜，所述钝态膜在所述去除加工之后进行所述底座表面的膜的再生。

2.根据权利要求1所述的半导体传感器装置，其特征在于，

所述底座为感知压力的变化的不锈钢受压底座。

3.根据权利要求2所述的半导体传感器装置，其特征在于，

所述传感器芯片为物理、机械性传感器。

4.根据权利要求1所述的半导体传感器装置，其特征在于，

所述第一薄膜及所述第二薄膜选自W、Al、Cr、Ni、Ti、Ta、Cu、Au、Pt、Fe、Ag中的任一种或任意几种，或者由合金构成。

5.根据权利要求4所述的半导体传感器装置，其特征在于，

所述第一薄膜及所述第二薄膜的厚度为0.1nm～1μm。

6.根据权利要求1所述的半导体传感器装置，其特征在于，

所述传感器芯片经由接合线与电路基板电性连接。

7.一种半导体传感器装置的制造方法，其特征在于，

具有如下工序：

在传感器芯片上形成第一薄膜；

在供所述传感器芯片接合的底座上形成第二薄膜；以及

接合工序，将所述第一薄膜与所述第二薄膜接合，

所述接合工序是在所述半导体传感器装置的使用温度下进行的，

所述接合工序具有如下工序：

在因所述底座的母材中所含的成分的氧化而生成的氧化膜的厚度范围内对所述底座表面的凸部区域进行去除加工；以及

膜再生工序，在所述去除加工工序之后进行所述底座表面的膜的再生。

8.根据权利要求7所述的半导体传感器装置的制造方法，其特征在于，

在所述膜再生工序之后，进而进行在所述膜再生工序内再生出的膜的厚度范围内对表面的凸部区域进行去除加工的去除加工工序。

9.根据权利要求7所述的半导体传感器装置的制造方法，其特征在于，

所述膜为钝态膜或加工变质层。

10.根据权利要求7所述的半导体传感器装置的制造方法，其特征在于，

所述凸部区域的去除使用离子束。