[发明专利]半导体传感器装置及其制造方法

说明书

本发明提供一种高性能的半导体传感器装置及其制造方法。本发明的半导体传感器装置具有传感器芯片和形成于所述传感器芯片的第一薄膜，所述传感器芯片隔着所述第一薄膜与形成于多晶材料的底座的第二薄膜机械性地连接。

技术领域

本发明涉及一种半导体传感器装置及其制造方法。

背景技术

作为将半导体传感器芯片固定至底座或容器的方法，例如，专利文献1中记载有如下方法：利用聚硅氧系粘接剂将由半导体传感器芯片和玻璃基底构成的芯片组件粘接、固定在芯片匣的凹部。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开2003-149068号公报

发明内容

发明要解决的问题

在所述半导体传感器装置为检测不锈钢底座的形变而动作的机械、物理性传感器的情况下，传感器芯片与不锈钢底座的固定部为传递形变的部分，因此，优选为准确地传递不锈钢底座的形变的材料。但是，在使用所述硅系粘接剂、焊料、低熔点玻璃将传感器芯片固定在不锈钢底座上的情况下，由于这些固定材料通常具有几μm～几十μm的厚度，因此固定材料本身成为在传感器芯片与不锈钢底座之间缓和形变的层，从而有无法将不锈钢底座的形变准确地传递至传感器芯片之虞。

此外，当半导体传感器装置暴露在高温下时，粘接剂、焊料等固定材料会发生蠕变变形而缓和不锈钢底座的形变，因此成为半导体传感器装置的特性劣化的因素。

此外，传感器芯片通常由硅材料构成，当因利用焊料和低熔点玻璃加以固定时的温度变化而受到热应力时，特性会发生变动。因此，为了减小传感器芯片的特性变动，传感器芯片与不锈钢底座的固定优选在与半导体传感器装置的使用温度相近的温度下进行。但是，在利用所述硅系粘接剂、焊料、低熔点玻璃等进行固定的情况下，由于要经过加热冷却的过程，因此传感器芯片必然会受到热应力，从而成为传感器芯片的特性劣化的因素。

本发明在于提供一种高性能的半导体传感器装置及其制造方法。

解决问题的技术手段

解决上述问题的本发明的半导体传感器装置的特征在于，具有传感器芯片和形成于所述传感器芯片的第一薄膜，所述传感器芯片隔着所述第一薄膜与形成于多晶材料的底座的第二薄膜机械性地连接。

发明的效果

根据本发明，能够提供一种高性能的半导体传感器装置及其制造方法。

附图说明

图1为表示本发明的半导体传感器装置的第一实施方式的贴装结构的截面图。

图2为表示本发明的半导体传感器装置的使用状态的贴装结构的截面图。

图3为表示本发明的镜面研磨法的原理的、第一阶段研磨的截面图。

图4为表示本发明的镜面研磨法的原理的、第二阶段研磨的截面图。

图5为表示通过本发明的镜面研磨法来研磨实际的多晶材料的情况的、第一阶段研磨的截面图。

图6为表示通过本发明的镜面研磨法来研磨实际的多晶材料的情况的、第二阶段研磨的截面图。

图7为表示通过非本发明的镜面研磨法来研磨实际的多晶材料的情况的截面图。

具体实施方式