[发明专利]导电性高分子用隐形蚀刻墨液和导电性高分子的图案化方法在审
| 申请号： | 201680041158.0 | 申请日： | 2016-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN107849378A | 公开（公告）日： | 2018-03-27 |
| 发明（设计）人： | 桥本祐介;井原孝 | 申请（专利权）人： | 东亚合成株式会社 |
| 主分类号： | C09D11/10 | 分类号： | C09D11/10;H01B13/00 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司11322 | 代理人： | 龙淳,吕秀平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 课题本发明的目的在于提供将导电性高分子膜非活化时干燥性和清洁性优异的隐形蚀刻墨液、以及使用了该隐形蚀刻墨液的导电性高分子的图案化方法。解决方法通过包含导电性高分子用蚀刻剂(A)、无机颗粒(B)、聚丙烯酸或其盐(C)和水系介质(D)且pH被调整为3～7的导电性高分子用隐形蚀刻墨液能够解决上述课题。 | ||
| 搜索关键词： | 导电性 高分子 隐形 蚀刻 图案 方法 | ||
【主权项】：
一种导电性高分子用隐形蚀刻墨液，其特征在于：包含导电性高分子用蚀刻剂(A)、无机颗粒(B)、聚丙烯酸或其盐(C)和水系介质(D)，所述导电性高分子用隐形蚀刻墨液的pH被调整为3～7。
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