[发明专利]导电性高分子用隐形蚀刻墨液和导电性高分子的图案化方法

权利要求书

1.一种导电性高分子用隐形蚀刻墨液，其特征在于：

包含导电性高分子用蚀刻剂(A)、无机颗粒(B)、聚丙烯酸或其盐(C)和水系介质(D)，所述导电性高分子用隐形蚀刻墨液的pH被调整为3～7。

2.如权利要求1所述的导电性高分子用隐形蚀刻墨液，其特征在于：导电性高分子用蚀刻剂(A)为次氯酸盐和/或次氯酸盐五水合物。

3.如权利要求1或权利要求2所述的导电性高分子用隐形蚀刻墨液，其特征在于：

无机颗粒(B)的一次颗粒形状为平板状。

4.如权利要求1～3中任一项所述的导电性高分子用隐形蚀刻墨液，其特征在于：

无机颗粒为膨润土和/或云母。

5.如权利要求1～4中任一项所述的导电性高分子用隐形蚀刻墨液，其特征在于：

聚丙烯酸或其盐的重均分子量为1000～50万。

6.如权利要求1～5中任一项所述的导电性高分子用隐形蚀刻墨液，其特征在于：

还包含阴离子交换体(E)。

7.如权利要求6所述的导电性高分子用隐形蚀刻墨液，其特征在于：阴离子交换体(E)为铋系化合物或水滑石。

8.一种导电性高分子的图案化方法，其特征在于，包括：

成膜工序，其在基材上形成导电性高分子的膜；

印刷工序，其对所述膜中的要除去导电性高分子的区域施用权利要求1～7中任一项所述的导电性高分子用隐形蚀刻墨液；

蚀刻工序，其利用所述导电性高分子用隐形蚀刻墨液对所述要除去的区域的导电性高分子进行蚀刻；以及

除去工序，其从基板上除去残留的导电性高分子用隐形蚀刻墨液和导电性高分子的蚀刻残液。

9.如权利要求8所述的导电性高分子的图案化方法，其特征在于：

所述导电性高分子为聚苯胺类、聚吡咯类或聚噻吩类。

10.如权利要求8或权利要求9所述的导电性高分子的图案化方法，其特征在于：

在印刷工序之前，包括使导电性高分子的膜浸渍于酸中或在导电性高分子的膜上形成水溶性树脂的保护膜的工序。