[发明专利]发光二极管在审
| 申请号： | 201680040260.9 | 申请日： | 2016-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN107851696A | 公开（公告）日： | 2018-03-27 |
| 发明（设计）人： | 成演准;丁星好 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/54 | 分类号： | H01L33/54;H01L33/36;H01L21/205 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 达小丽,夏凯 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 根据本发明的发光二极管包括包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层的发光结构；保护发光结构的钝化层；以及在发光结构上的在发光结构和钝化层之间形成的金属层，其中钝化层和金属层之间的距离比钝化层的厚度大4到12倍。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，包括：衬底；在所述衬底上布置的发光结构，所述发光结构包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层；至少一个凹槽，所述至少一个凹槽被形成通过所述第一导电型半导体层、所述有源层和所述第二导电型半导体层并且延伸到所述第一导电型半导体层的一部分；第一绝缘层，所述第一绝缘层在所述至少一个凹槽内被布置在所述第一导电型半导体层的下部处；第一电极层，所述第一电极层在所述至少一个凹槽内被导电地连接到所述第一导电型半导体层，在所述第一绝缘层和所述第一电极层之间的距离包括比所述第一绝缘层的厚度大4至12倍的第一距离；以及第二绝缘层，所述第二绝缘层被布置在所述距离中。
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