[发明专利]发光二极管

权利要求书

1.一种发光二极管，包括：

衬底；

在所述衬底上布置的发光结构，所述发光结构包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层；

至少一个凹槽，所述至少一个凹槽被形成通过所述第一导电型半导体层、所述有源层和所述第二导电型半导体层并且延伸到所述第一导电型半导体层的一部分；

第一绝缘层，所述第一绝缘层在所述至少一个凹槽内被布置在所述第一导电型半导体层的下部处；

第一电极层，所述第一电极层在所述至少一个凹槽内被导电地连接到所述第一导电型半导体层，在所述第一绝缘层和所述第一电极层之间的距离包括比所述第一绝缘层的厚度大4至12倍的第一距离；以及

第二绝缘层，所述第二绝缘层被布置在所述距离中。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述第二绝缘层被沉积在所述第一绝缘层和所述金属层上。

3.根据权利要求2所述的发光二极管，其中，所述第二绝缘层的厚度大于所述第一绝缘层和所述金属层的厚度。

4.根据权利要求3所述的发光二极管，其中，所述第二绝缘层的厚度至少是700nm。

5.根据权利要求3所述的发光二极管，其中，通过化学气相沉积(CVD)形成所述第二绝缘层。

6.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述金属层和所述第一绝缘层的厚度在400nm～800nm的范围内。

7.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，所述第一绝缘层和所述金属层之间的距离在3mm～5mm的范围内。

8.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，使用一个掩模通过光刻一次形成所述第一绝缘层和所述金属层。

9.根据权利要求8所述的发光二极管，其中，所述第一绝缘层和所述金属层之间的距离在光刻期间根据各向同性蚀刻的执行时间而变化。

10.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，在所述发光结构上形成的金属层包括彼此电隔离的至少两个部分，并且所述第一绝缘层被形成在所述发光结构上没有被提供有所述金属层的区域中。

11.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，如果所述发光结构的上表面包括平的平面和倾斜平面，则所述金属层仅被形成在所述平的平面上，并且所述第一绝缘层被形成在所述平的平面和所述倾斜平面这两者上。

12.根据权利要求1所述的发光二极管，具有垂直结构使得从所述发光结构输出的光在朝着所述发光二极管的上表面的方向中发射。

13.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，从所述发光结构输出的光是具有波长范围为100-400nm的紫外(UV)光。