[发明专利]发光二极管

说明书

技术领域

实施例涉及一种发光二极管的结构及其制造方法，并且更具体地，涉及一种阻挡漏电流并且从而具有被改进的可靠性的发光器件(LED)的结构及其制造方法。

背景技术

随着发光二极管(LED)技术已经被发展，成本降低和节能被实现。此外，使用LED的装置已经被多样化。现在，发射可见光的LED被广泛地应用于包括照明的各种应用，并且紫外(UV)光源在科学和工业、医学、环境科学、半导体工业等中被广泛地使用，并且其应用领域将被扩大。

发光二极管(LED或多个LED)是将电能转换成光的器件，并且LED通常包括由半导体材料形成并且插入在掺杂有具有相反电特性的掺杂物的多个层之间的至少一个有源层。通常，当对掺杂层的两端施加偏压时，空穴和电子被注入到有源层中，并在有源层中重新结合，从而产生光。这种光从有源层通过LED的整个表面被发射。

发明内容

技术问题

实施例提供一种减少漏电流并且因此可以具有改进的可靠性的发光二极管。

此外，实施例提供一种发光二极管，该发光二极管阻挡在垂直发光二极管的n型电极和p型电极之间产生的漏电流并且因此可以改进产量。

此外，实施例提供一种发光二极管，其中绝缘膜被沉积在钝化层和金属层之间而没有空的空间(vacant space)，并且因此可以阻挡漏电流。

实施例的目的不限于上述目的，并且实施例的附加优点、目的和特征将在随后的说明中部分地阐述并且将由本领域普通技术人员通过查阅下述内容而部分地变得清楚或者可以从实施例的实践中领会。

技术方案

在一个实施例中，发光二极管包括：发光结构，该发光结构包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层；钝化层，该钝化层保护发光结构；以及金属层，该金属层被形成在发光结构上的发光结构和钝化层之间，其中钝化层和金属层之间的距离是比钝化层的厚度大4到12倍。

发光二极管可以进一步包括绝缘层，该绝缘层被沉积在钝化层和金属层上。

绝缘层的厚度可以大于钝化层和金属层的厚度。

绝缘层可以填充位于发光结构上的钝化层和金属层之间形成的间隙。

绝缘层的厚度可以是至少700nm。

第二绝缘层可以通过化学气相沉积(CVD)形成。

金属层和钝化层的厚度可以在400nm～800nm的范围内。

钝化层和金属层之间的距离可以在3mm～5mm的范围内。

钝化层和金属层可以使用一个掩模通过光刻一次形成。

钝化层和金属层之间的距离可以在光刻期间根据各向同性蚀刻的执行时间而变化。

在发光结构上形成的金属层可以包括彼此电隔离的至少两个部分，并且钝化层可以形成在发光结构上没有被提供有金属层的区域中。

如果发光结构的上表面包括平的平面(flat planes)和倾斜平面(inclined planes)，则金属层可以仅被形成在平的平面上，并且钝化层可以被形成在平的平面和倾斜平面这两者上。

发光二极管可以具有垂直结构，使得从发光结构输出的光在朝着发光二极管的上表面的方向中发射。

从发光结构输出的光可以是具有波长范围为100-400nm的紫外(UV)光。

以上方面仅是一些优选实施例，并且本领域的技术人员基于下面将给出的详细描述能够设计其中反映本公开的技术特征的各种实施例。

有益效果

根据一个实施例的发光二极管具有如下效果。

根据实施例的发光二极管抑制当沉积绝缘膜时出现的空的空间的产生，并且因此可以阻挡漏电流并且改进发光二极管的操作可靠性。

通过下面描述的实施例获得的效果不限于上述效果，并且将理解的是，本领域技术人员能够设计落入本公开原理的精神和范围内的其他效果。

附图说明

被包括以提供对实施例的进一步理解并且被并入且构成本申请的一部分的附图图示实施例并且与说明书一起用于解释实施例的原理。然而，实施例的技术特征不限于附图，并且可以组合附图中公开的特征以组成新的实施例。

图1图示发光二极管中的缺陷。

图2图示图1的发光二极管中的缺陷的原因。

图3是图示根据一个实施例的发光二极管的横截面图。

图4a至图4c是图示制造图3所示的发光二极管的方法的横截面图。

图5a至图5c是更加详细地图示在图4b和图4c所示的方法的横截面图。