[发明专利]低薄层电阻MEOL电阻器的方法与设计有效
| 申请号： | 201680039990.7 | 申请日： | 2016-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN108028253B | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | N·庄;J·G·安;P·C·叶;C·W·张 | 申请（专利权）人： | 赛灵思公司 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L23/522;H01L49/02 |
| 代理公司： | 北京市君合律师事务所 11517 | 代理人： | 毛健;顾云峰 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 集成电路结构(100)包括：半导体衬底(102)；在半导体衬底(102)中的浅沟槽隔离(STI)区域(106)；形成在所述半导体衬底(102)上的一个或多个有源器件；以及电阻器阵列(138)，其具有设置在所述STI区域(106)上方的多个电阻器；其中所述电阻器阵列(138)包括用于互连到所述一个或多个有源器件的一个或多个互连接触层(126,136)的一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 薄层 电阻 meol 电阻器 方法 设计 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路结构，其特征在于，包括：半导体衬底；在所述半导体衬底中的浅沟槽隔离“STI”区域；在所述半导体衬底上形成的一个或多个有源器件；以及电阻器阵列，其具有设置在所述STI区域上方的多个电阻器；其中所述电阻器阵列包括用于互连到所述一个或多个有源器件的一个或多个互连接触层的一部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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