[发明专利]半导体元件的制造方法有效
| 申请号： | 201680039593.X | 申请日： | 2016-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN107851563B | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 吉川兼司;铃木正人 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301;B28D5/00 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 金春实 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体元件(12)的制造方法具备：在晶片(11)的主面中形成多个半导体元件(12)；形成配置到分割基准线上的多个劈开槽群(20)；以及沿着分割基准线(14)将晶片(11)劈开，而使多个半导体元件(12)相互分离。针对多个半导体元件(12)中的、相互相邻的4个半导体元件(12)，配置多个劈开槽群(20)的至少1个。多个劈开槽群(20)分别包括在分割基准线(14)上配置的多个劈开槽(21、22、23)。由此，能够提高半导体元件(12)的制造成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体元件的制造方法，具备：在晶片的主面的第1区域中，形成沿着第1方向和与所述第1方向交叉的第2方向排列的多个半导体元件；在所述晶片的所述主面的所述第1区域中的所述多个半导体元件之间形成多个劈开槽群；在所述晶片的所述主面的与所述第1区域不同的第2区域中形成劈开起点部；以及沿着分割基准线将所述晶片劈开，使所述多个半导体元件相互分离，所述多个劈开槽群以及所述劈开起点部配置于所述分割基准线上，针对所述多个半导体元件中的、在所述第1方向以及所述第2方向上相互相邻的4个所述半导体元件，配置所述多个劈开槽群中的至少1个，所述多个劈开槽群分别包括在所述分割基准线上配置的多个劈开槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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