[发明专利]半导体元件的制造方法

说明书

半导体元件(12)的制造方法具备：在晶片(11)的主面中形成多个半导体元件(12)；形成配置到分割基准线上的多个劈开槽群(20)；以及沿着分割基准线(14)将晶片(11)劈开，而使多个半导体元件(12)相互分离。针对多个半导体元件(12)中的、相互相邻的4个半导体元件(12)，配置多个劈开槽群(20)的至少1个。多个劈开槽群(20)分别包括在分割基准线(14)上配置的多个劈开槽(21、22、23)。由此，能够提高半导体元件(12)的制造成品率。

技术领域

本发明涉及半导体元件的制造方法。

背景技术

已知一种半导体元件的制造方法，具备：第1工序，在晶片的主面上形成多个半导体元件；第2工序，在多个半导体元件之间形成劈开槽；以及第3工序，通过对晶片施加荷重，沿着劈开槽将晶片劈开(参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献1：日本特开2003-86900号公报

发明内容

然而，在半导体元件的制造方法中，存在晶片在从排列劈开槽的分割基准线大幅偏移的位置处分割，而半导体元件的制造成品率降低这样的课题。作为一个例子，有时相对晶片的劈开线向晶片的主面内的方位角的方向倾斜地形成多个半导体元件以及劈开槽。在相对晶片的劈开线倾斜地形成多个半导体元件以及劈开槽时，半导体元件的分割线不会被引导到劈开槽，沿着晶片的劈开线分割多个半导体元件。因此，晶片在从排列劈开槽的分割基准线大幅偏移的位置处分割，半导体元件的制造成品率降低。

本发明是鉴于上述课题而完成的，其目的在于提供一种能够提高半导体元件的制造成品率的半导体元件的制造方法。

本发明的半导体元件的制造方法具备：在晶片的主面上，形成沿着第1方向和与第1方向交叉的第2方向排列的多个半导体元件；在多个半导体元件之间形成多个劈开槽群；以及沿着分割基准线将晶片劈开，而使多个半导体元件相互分离。多个劈开槽群配置于分割基准线上。针对多个半导体元件中的、在第1方向以及第2方向上相互相邻的4个半导体元件，配置多个劈开槽群中的至少1个。多个劈开槽群分别包括在分割基准线上配置的多个劈开槽。

根据本发明的半导体元件的制造方法，在多个半导体元件之间形成的多个劈开槽群的各个劈开槽群中包含的多个劈开槽能够以使分割线充分接近分割基准线的方式，校正分割线。包括多个劈开槽的多个劈开槽群能够防止晶片在从分割基准线大幅偏移的位置处分割。本实施方式的半导体元件的制造方法能够提高半导体元件的制造成品率。

附图说明

图1是示出本发明的实施方式1所涉及的半导体元件的制造方法的流程图的图。

图2是示出本发明的实施方式1所涉及的半导体元件的制造方法的一个工序的概略俯视图。

图3是本发明的实施方式1所涉及的半导体元件的制造方法的一个工序的、图2所示的区域III的概略局部放大俯视图。

图4是本发明的实施方式1所涉及的半导体元件的制造方法的一个工序的、图3所示的剖面线IV-IV的概略局部放大剖面图。

图5是本发明的实施方式1的第1变形例所涉及的半导体元件的制造方法的一个工序的、概略局部放大剖面图。

图6是本发明的实施方式1的第2变形例所涉及的半导体元件的制造方法的一个工序的、概略局部放大剖面图。

图7是示出本发明的实施方式1所涉及的半导体元件的制造方法中的、劈开晶片的工序的概略局部放大立体图。

图8是示出本发明的实施方式1所涉及的半导体元件的制造方法中的、劈开晶片的工序的概略局部放大俯视图。

图9是本发明的实施方式1所涉及的半导体元件的制造方法中的、劈开晶片的工序后的晶片的概略局部放大剖面图。