[发明专利]半导体元件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体元件的制造方法，具备：

在晶片的主面的第1区域中，形成沿着第1方向和与所述第1方向交叉的第2方向排列的多个半导体元件；

在所述晶片的所述主面的所述第1区域中的所述多个半导体元件之间形成多个劈开槽群；

在所述晶片的所述主面的与所述第1区域不同的第2区域中形成劈开起点部；以及

沿着分割基准线将所述晶片劈开，使所述多个半导体元件相互分离，

所述多个劈开槽群以及所述劈开起点部配置于所述分割基准线上，

针对所述多个半导体元件中的、在所述第1方向以及所述第2方向上相互相邻的4个所述半导体元件，配置所述多个劈开槽群中的至少1个，

所述多个劈开槽群分别包括在所述分割基准线上配置的多个劈开槽，

所述多个半导体元件分别包括活性区域，

所述多个劈开槽群包括：

第1劈开槽群，与所述活性区域相邻并且相对于所述活性区域位于所述劈开起点部侧；以及

第2劈开槽群，与所述活性区域相邻并且相对于所述活性区域位于与所述劈开起点部侧相反的一侧，

形成所述多个劈开槽群包括以使所述第1劈开槽群与所述活性区域之间的第1距离大于所述第2劈开槽群与所述活性区域之间的第2距离的方式形成所述多个劈开槽群。

2.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中，

所述多个劈开槽在与所述分割基准线正交的剖面中具有V字形状。

3.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中，

形成所述劈开起点部包括通过对所述晶片进行蚀刻来形成劈开起点槽。

4.根据权利要求3所述的半导体元件的制造方法，其中，

所述多个劈开槽群以及所述劈开起点槽在共同的工序中形成。

5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的半导体元件的制造方法，其中，

与所述劈开起点部侧相反的一侧的所述多个劈开槽的第1端部具有随着靠向与所述劈开起点部侧相反的一侧而变得尖细的形状。

6.根据权利要求5所述的半导体元件的制造方法，其中，

所述劈开起点部侧的所述多个劈开槽的第2端部具有随着靠向所述劈开起点部侧而变得尖细的形状。

7.根据权利要求1至4中的任意一项所述的半导体元件的制造方法，其中，

形成所述多个劈开槽群包括形成在俯视所述晶片的所述主面时具有相互相等的底面的面积的所述多个劈开槽。

8.根据权利要求1至4中的任意一项所述的半导体元件的制造方法，其中，

所述多个劈开槽分别包括相互相邻的第1劈开槽和第2劈开槽，

所述第2劈开槽相对于所述第1劈开槽，位于与所述劈开起点部侧相反的一侧，

所述第2劈开槽的第2槽宽比所述第1劈开槽的第1槽宽窄。

9.根据权利要求1至4中的任意一项所述的半导体元件的制造方法，其中，

所述多个半导体元件是半导体激光器或者发光二极管。

10.根据权利要求1至4中的任意一项所述的半导体元件的制造方法，其中，

所述多个半导体元件是晶体管。