[发明专利]低功率存储器子系统中的存储器阵列和链路纠错在审

专利信息
申请号: 201680038348.7 申请日: 2016-04-27
公开(公告)号: CN107820606A 公开(公告)日: 2018-03-20
发明(设计)人: J·徐;D·I·韦斯特 申请(专利权)人: 高通股份有限公司
主分类号: G06F11/10 分类号: G06F11/10
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司31100 代理人: 周敏,陈炜
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种低功率存储器子系统中的存储器阵列和链路纠错方法包括在正常写操作期间以及在读操作期间将纠错码(ECC)奇偶校验位嵌入到未使用的数据掩码位内。该方法还包括在掩码写操作期间将该ECC奇偶校验位嵌入与经断言的数据掩码位相对应的掩码写数据字节中。
搜索关键词: 功率 存储器 子系统 中的 阵列 纠错
【主权项】:
一种低功率存储器子系统中的存储器阵列和链路纠错方法,包括:在正常写操作期间以及在读操作期间将纠错码(ECC)奇偶校验位嵌入到未使用的数据掩码位内;以及在掩码写操作期间将所述ECC奇偶校验位嵌入与经断言的数据掩码位相对应的掩码写数据字节中。
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