[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201680032134.9 | 申请日： | 2016-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN107636836B | 公开（公告）日： | 2020-11-27 |
| 发明（设计）人： | 内藤达也 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/12;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 齐雪娇;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在栅沟槽分支的部分中，与直线状的栅沟槽的部分相比，沟槽形成得较深。提供一种半导体装置，其具有：第一导电型的半导体基板；第二导电型的基区，其设置于半导体基板的正面侧；第一沟槽部，其以从半导体基板的正面贯通基区的方式设置；以及，第二导电型的接触区，其在半导体基板的正面侧设置于基区的一部分，并且杂质浓度比基区的杂质浓度高，第一沟槽部在半导体基板的正面具有分支部，分支部以在半导体基板的正面被接触区包围的方式设置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：第一导电型的半导体基板；第二导电型的基区，其设置于所述半导体基板的正面侧；第一沟槽部，其以从所述半导体基板的正面贯通所述基区的方式设置；以及第二导电型的接触区，其在所述半导体基板的正面侧设置于所述基区的一部分，并且杂质浓度比所述基区的杂质浓度高，所述第一沟槽部在所述半导体基板的正面具有分支部，所述分支部以在所述半导体基板的正面被所述接触区包围的方式设置。
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