[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

第一导电型的半导体基板；

第二导电型的基区，其设置于所述半导体基板的正面侧；

第一沟槽部，其以从所述半导体基板的正面贯通所述基区的方式设置；以及

第二导电型的接触区，其在所述半导体基板的正面侧设置于所述基区的一部分，并且杂质浓度比所述基区的杂质浓度高，

所述第一沟槽部在所述半导体基板的正面具有分支部，

所述分支部以在所述半导体基板的正面被所述接触区包围的方式设置，

所述第一沟槽部形成为在所述半导体基板的正面分别包围一个以上的动作区，

所述半导体装置还具备：

第二沟槽部，其在所述半导体基板的正面形成在所述动作区内，并且与所述第一沟槽部分离；

第一导电型的发射区，其形成在形成有所述第二沟槽部的所述动作区内，

所述第二沟槽部和所述动作区在所述半导体基板的正面，被所述第一沟槽部包围周围，

所述发射区与所述第二沟槽部相接地设置。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一沟槽部是连接到栅电极的栅沟槽部，所述第二沟槽部是连接到发射电极的虚设沟槽部。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，在形成有所述虚设沟槽部的所述动作区内，形成有第一导电型的发射区。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，还具备：形成于所述半导体基板的正面的上方的层间绝缘膜，

所述层间绝缘膜在与所述动作区对置的位置具有使所述发射区以及所述接触区的至少一部分露出的接触孔。

5.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述栅沟槽部形成为在所述半导体基板的正面分别包围一个以上的抽取区，

在各所述抽取区，不形成所述发射区。

6.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，所述栅沟槽部形成为在所述半导体基板的正面分别包围一个以上的抽取区，

在各所述抽取区，不形成所述发射区。

7.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，所述抽取区经由所述栅沟槽部与所述动作区邻接地配置。

8.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，所述抽取区经由所述栅沟槽部与所述动作区邻接地配置。

9.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，两个所述抽取区配置于所述动作区的两侧。

10.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，两个所述抽取区配置于所述动作区的两侧。

11.根据权利要求3～10中任一项所述的半导体装置，其特征在于，在所述半导体基板的正面，从所述分支部到所述发射区的距离大于从所述分支部到所述接触区的距离。

12.根据权利要求2～10中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述栅沟槽部具有朝向所述虚设沟槽部突出的突出部。

13.根据权利要求2～10中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述栅沟槽部具有：

绝缘膜，其形成于栅沟槽的内壁，所述栅沟槽以从所述半导体基板的正面贯通所述基区的方式设置；

栅导电部，其形成于由所述绝缘膜覆盖内壁的所述栅沟槽的内部；以及

底部侧导电部，其在由所述绝缘膜覆盖内壁的所述栅沟槽的内部，形成于与所述栅导电部相比更靠近所述栅沟槽的底部侧的位置，并且与所述栅导电部绝缘。