[发明专利]半导体装置

说明书

在栅沟槽分支的部分中，与直线状的栅沟槽的部分相比，沟槽形成得较深。提供一种半导体装置，其具有：第一导电型的半导体基板；第二导电型的基区，其设置于半导体基板的正面侧；第一沟槽部，其以从半导体基板的正面贯通基区的方式设置；以及，第二导电型的接触区，其在半导体基板的正面侧设置于基区的一部分，并且杂质浓度比基区的杂质浓度高，第一沟槽部在半导体基板的正面具有分支部，分支部以在半导体基板的正面被接触区包围的方式设置。

技术领域

本发明涉及一种半导体装置。

背景技术

以往，在IGBT等的半导体装置中，已知有具有分支的栅沟槽的结构(例如，参照专利文献1)。

专利文献1：日本特开2012-190938号公报

在由栅沟槽分支得到的部分中，与直线状的栅沟槽的部分相比，沟槽形成得更深。

发明内容

在本发明的一个方式中，提供一种具备第一导电型的基板的半导体装置。在半导体基板的正面侧，可以设置有第二导电型的基区。在半导体基板，可以设置有从半导体基板的正面侧贯通基区的第一沟槽部。在半导体基板的正面侧，可以设置有第二导电型的接触区，所述第二导电型的接触区设置于基区的一部分，且杂质浓度比基区的杂质浓度高。第一沟槽部可以在半导体基板的正面具有分支部。分支部可以以在半导体基板的正面被接触区包围的方式设置。

第一沟槽部可以形成为在半导体基板的正面分别包围一个以上的动作区。半导体装置还可以具备第二沟槽部，所述第二沟槽部在半导体基板的正面形成在动作区内，并且与第一沟槽部分离。第一沟槽部可以是连接到栅电极的栅沟槽部，第二沟槽部可以是连接到发射电极的虚设沟槽部。

在形成有虚设沟槽部的动作区内，可以形成有第一导电型的发射区。半导体装置还可以具备形成于半导体基板的正面的上方的层间绝缘膜。层间绝缘膜可以在与动作区对置的位置，具有使发射区以及接触区的至少一部分露出的接触孔。

栅沟槽部可以形成为在半导体基板的正面分别包围一个以上的抽取区。在各抽取区，可以不形成发射区。抽取区可以经由栅沟槽部与动作区相邻地配置。两个抽取区可以配置于动作区的两侧。

在半导体基板的正面，从分支部到发射区的距离可以大于从分支部到接触区的距离。栅沟槽部可以具有朝向虚设沟槽部突出的突出部。

栅沟槽部可以具有形成于以从半导体基板的正面贯通基区的方式设置的栅沟槽的内壁的绝缘膜。栅沟槽部可以具有形成于由绝缘膜覆盖内壁的栅沟槽的内部的栅导电部。栅沟槽部可以具有底部侧导电部，所述底部侧导电部在由绝缘膜覆盖内壁的栅沟槽的内部，形成于与栅导电部相比更靠近栅沟槽的底部侧的位置，并且与栅导电部绝缘。

虚设沟槽部可以具有形成于以从半导体基板的正面贯通基区的方式设置的虚设沟槽的内壁的绝缘膜。虚设沟槽部可以具有形成于由绝缘膜覆盖内壁的虚设沟槽的内部的虚设导电部。对于虚设沟槽部而言，底部侧导电部可以在半导体基板的内部与虚设导电部连接。

底部侧导电部可以在分支部具有向下方突出的突出区。第一沟槽部可以具有形成于以从半导体基板的正面贯通基区的方式设置的沟槽的内壁的绝缘膜。第一沟槽部的分支部的底部中的绝缘膜的厚度可以比第一沟槽部的分支部以外的底部中的绝缘膜的厚度厚。

在半导体基板还可以具备形成于基区的下方的积蓄区。第一沟槽部可以以贯通积蓄区的方式设置。可以以包围分支部的方式，在积蓄区设置有周边区，在所述周边区中，与第一沟槽部接触的位置的积蓄区的深度方向的厚度比从相邻的第一沟槽部沿着水平面方向距离最远的位置的积蓄区的厚度薄。

需要说明的是，上述发明内容没有列举本发明的所有特征。另外，这些特征组的子组合也可成为本发明。

附图说明

图1A是表示本发明的实施方式的半导体装置100的构成例的图。