[发明专利]包括用于减小焊点中的应力并改善焊点可靠性的核心层的加强型晶片级封装在审
| 申请号： | 201680023877.X | 申请日： | 2016-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN107533986A | 公开（公告）日： | 2018-01-02 |
| 发明（设计）人： | C-K·金;R·库马;V·诺维斯基;J·傅;A·R·赛德;M·P·沙哈;O·J·比奇厄 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/768;H01L21/60;H01L23/488;H01L23/16;H01L23/31;H01L23/498;H01L23/522;H01L23/538;H01L25/065;H01L25/10 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 陈炜,袁逸 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一些特征涉及一种封装(200)，该封装(200)包括重分布部分(204)、耦合到该重分布部分的第一管芯(202)、耦合到该重分布部分的核心层(206)、以及对第一管芯和核心层进行封装的封装层(208)。重分布部分包括第一电介质层(240)。核心层具有比封装层高的杨氏模量。在一些实现中，核心层包括玻璃纤维(例如，核心层是玻璃加强型电介质层)。在一些实现中，核心层具有大约至少15千兆帕(Gpa)的杨氏模量。在一些实现中，第一管芯包括前侧和后侧，其中第一管芯的前侧耦合到重分布部分。在一些实现中，第一电介质层是可感光成像电介质(PID)层。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 用于 减小 中的 应力 改善 可靠性 核心 加强型 晶片 封装 | ||
【主权项】：
一种封装，包括：重分布部分，其包括：第一可感光成像电介质(PID)层；以及第一互连；耦合到所述重分布部分的第一管芯，其中，所述第一管芯耦合到所述重分布部分的所述第一互连；耦合到所述重分布部分的核心层；以及对所述第一管芯和所述核心层进行封装的封装层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于高通股份有限公司，未经高通股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201680023877.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体装置以及半导体装置的制造方法
- 下一篇：焊料电极的制造方法及其用途
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
