[发明专利]包括用于减小焊点中的应力并改善焊点可靠性的核心层的加强型晶片级封装在审
| 申请号: | 201680023877.X | 申请日: | 2016-04-28 |
| 公开(公告)号: | CN107533986A | 公开(公告)日: | 2018-01-02 |
| 发明(设计)人: | C-K·金;R·库马;V·诺维斯基;J·傅;A·R·赛德;M·P·沙哈;O·J·比奇厄 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/768;H01L21/60;H01L23/488;H01L23/16;H01L23/31;H01L23/498;H01L23/522;H01L23/538;H01L25/065;H01L25/10 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人: | 陈炜,袁逸 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 包括 用于 减小 中的 应力 改善 可靠性 核心 加强型 晶片 封装 | ||
相关申请的交叉引用
本申请要求于2015年4月29日向美国专利商标局提交的非临时申请No.14/699,863的优先权和权益,其全部内容通过援引纳入于此。
背景
领域
各种特征涉及一种加强型晶片级封装,该晶片级封装包括用于减小焊点中的应力并改善焊点可靠性的核心层。
背景
图1解说了扇出晶片级封装100,该扇出晶片级封装100包括管芯102、重分布部分104、以及封装层108。管芯102耦合到重分布部分104。封装层108封装管芯102。重分布部分104包括电介质层140和若干互连141。互连141位于电介质层140中。互连141耦合到管芯102。焊球150耦合到互连141。扇出晶片级封装100可通过焊球150耦合到印刷电路板(PCB)(未示出)。
扇出晶片级封装相对于其它封装提供较低的成本和较小的尺寸。然而,扇出晶片级封装的较小尺寸与较大的管芯尺寸组合可引起扇出晶片级封装与这些扇出晶片级封装安装在其上的PCB之间的焊球可靠性。扇出晶片级封装的焊球可靠性会受到施加在该扇出晶片级封装上并传递给焊球的应力的量的影响。
因此,存在对具有更可靠焊点(例如,更长预期寿命的焊点)以确保去往/来自封装的更优质量和/或性能的信号的器件(例如,扇出晶片级封装、层叠封装(PoP)器件)的需求。此类器件可以减小和/或最小化传递给焊点的应力的量。理想地,此类器件将具有更优的形状因子、制造起来更便宜、而同时满足移动和/或可穿戴设备的需要和/或要求。
概述
各种特征涉及一种加强型晶片级封装,该晶片级封装包括用于减小焊点中的应力并改善焊点可靠性的核心层。
第一示例提供了一种封装,该封装包括重分布部分、耦合到所述重分布部分的第一管芯、耦合到所述重分布部分的核心层、以及对所述第一管芯和所述核心层进行封装的封装层。所述重分布部分包括第一可感光成像电介质(PID)层和第一互连。所述第一管芯耦合到所述重分布部分的所述第一互连。
第二示例提供了一种层叠封装(PoP)器件,所述PoP器件包括第一封装以及耦合到所述第一封装的第二封装。所述第二封装包括重分布部分、耦合到所述重分布部分的第一管芯、耦合到所述重分布部分的核心层、穿过所述核心层的通孔、对所述第一管芯和所述核心层进行封装的封装层、以及所述封装层中的第二互连,其中,所述第二互连耦合到所述通孔。所述重分布部分包括第一可感光成像电介质(PID)层以及第一互连。所述第一管芯耦合到所述重分布部分的所述第一互连。
第三示例提供了一种用于制造封装的方法。所述方法提供核心层。所述方法提供第一管芯。所述方法在所述核心层和所述第一管芯上形成封装层。所述方法在所述核心层和所述第一管芯上形成重分布部分,其中,形成所述重分布部分包括:形成第一可感光成像电介质(PID)部分、以及形成第一互连。
附图
在结合附图理解下面阐述的详细描述时,各种特征、本质和优点会变得明显,在附图中,相同的附图标记始终作相应标识。
图1解说了扇出晶片级封装。
图2解说了具有核心层的封装的示例。
图3解说了具有核心层的封装的另一示例。
图4解说了具有核心层的封装的示例。
图5解说了具有核心层的封装的另一示例。
图6(其包括图6A-6B)解说了用于制造具有核心层的封装的序列的示例。
图7(其包括图7A-7C)解说了用于制造具有核心层的封装的序列的示例。
图8解说了用于制造具有核心层的封装的方法的流程图的示例。
图9解说了具有包括通孔的核心层的封装的特写视图的示例。
图10解说了具有包括通孔的核心层的封装的特写视图的示例。
图11解说了具有包括通孔的核心层的封装的示例。
图12解说了具有包括通孔的核心层的封装的特写视图的示例。
图13解说了具有包括通孔的核心层的封装的特写视图的示例。
图14(其包括图14A-14C)解说了用于制造具有包括通孔的核心层的封装的序列的示例。
图15(其包括图15A-15C)解说了用于制造具有包括通孔的核心层的封装的序列的示例。
图16解说了用于制造具有包括通孔的核心层的封装的方法的流程图的示例。
图17解说了层叠封装(POP)器件的示例。
图18解说了另一层叠封装(POP)器件的示例。
图19解说了具有核心层和多个电子组件的封装的示例。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





