[发明专利]包括用于减小焊点中的应力并改善焊点可靠性的核心层的加强型晶片级封装在审
| 申请号: | 201680023877.X | 申请日: | 2016-04-28 |
| 公开(公告)号: | CN107533986A | 公开(公告)日: | 2018-01-02 |
| 发明(设计)人: | C-K·金;R·库马;V·诺维斯基;J·傅;A·R·赛德;M·P·沙哈;O·J·比奇厄 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/768;H01L21/60;H01L23/488;H01L23/16;H01L23/31;H01L23/498;H01L23/522;H01L23/538;H01L25/065;H01L25/10 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人: | 陈炜,袁逸 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 包括 用于 减小 中的 应力 改善 可靠性 核心 加强型 晶片 封装 | ||
1.一种封装,包括:
重分布部分,其包括:
第一可感光成像电介质(PID)层;以及
第一互连;
耦合到所述重分布部分的第一管芯,其中,所述第一管芯耦合到所述重分布部分的所述第一互连;
耦合到所述重分布部分的核心层;以及
对所述第一管芯和所述核心层进行封装的封装层。
2.如权利要求1所述的封装,其特征在于,所述核心层具有第一杨氏模量,并且所述封装层具有第二杨氏模量,其中,所述第一杨氏模量大于所述第二杨氏模量。
3.如权利要求2所述的封装,其特征在于,所述第一杨氏模量是大约至少15千兆帕(Gpa)或更大。
4.如权利要求2所述的封装,其特征在于,所述第二杨氏模量小于大约15千兆帕(Gpa)。
5.如权利要求1所述的封装,其特征在于,所述核心层包括玻璃纤维。
6.如权利要求1所述的封装,其特征在于,所述第一管芯包括前侧和后侧,其中,所述第一管芯的前侧耦合到所述重分布部分。
7.如权利要求1所述的封装,其特征在于,所述第一互连是所述第一可感光成像电介质(PID)层中的第一通孔,其中,所述第一通孔具有大约30(μm)微米或更小的直径。
8.如权利要求1所述的封装,其特征在于,所述封装层具有在大约每摄氏度百万分之20-50(ppm/C)的范围中的热膨胀系数(CTE)。
9.如权利要求1所述的封装,其特征在于,所述核心层具有小于大约每摄氏度百万分之12(ppm/C)的热膨胀系数(CTE)。
10.如权利要求1所述的封装,其特征在于,所述封装是扇出晶片级封装。
11.如权利要求1所述的封装,其特征在于,所述核心层包括通孔。
12.如权利要求1所述的封装,其特征在于,所述封装层包括封装互连。
13.如权利要求1所述的封装,其特征在于,所述封装被集成到层叠封装(PoP)器件中,所述层叠封装(PoP)器件包括第二封装。
14.如权利要求13所述的封装,其特征在于,所述第二封装是来自包括扇出晶片级封装(FDWLP)、焊线芯片规模封装(CSP)、和/或倒装芯片芯片规模封装(CSP)的一组封装中的封装。
15.如权利要求1所述的封装,其特征在于,所述封装被纳入选自包括以下各项的组的设备中:音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、移动电话、智能电话、个人数字助理、固定位置终端、平板计算机、计算机、可穿戴设备、膝上型计算机、服务器、以及机动车辆中的设备,并且进一步包括所述设备。
16.一种层叠封装(PoP)器件,包括:
第一封装;以及
耦合到所述第一封装的第二封装,所述第二封装包括
重分布部分,其包括:
第一可感光成像电介质(PID)层;以及
第一互连;
耦合到所述重分布部分的第一管芯,其中,所述第一管芯耦合到所述重分布部分的所述第一互连;
耦合到所述重分布部分的核心层;
穿过所述核心层的通孔;
对所述第一管芯和所述核心层进行封装的封装层;以及
所述封装层中的第二互连,其中,所述第二互连耦合到所述通孔。
17.如权利要求16所述的层叠封装(PoP)器件,其特征在于,所述第一互连是所述第一可感光成像电介质(PID)层中的第一通孔,其中,所述第一通孔具有大约30(μm)微米或更小的直径。
18.如权利要求16所述的层叠封装(PoP)器件,其特征在于,所述第二互连是所述封装层中的第二通孔,其中,所述第二通孔具有大约40(μm)微米或更大的直径。
19.如权利要求16所述的层叠封装(PoP)器件,其特征在于,所述第二封装是扇出晶片级封装。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





