[发明专利]竖直堆叠系统级封装及其制造方法有效

申请号：	201680023338.6	申请日：	2016-03-08
公开（公告）号：	CN107533985B	公开（公告）日：	2020-08-14
发明（设计）人：	翟军;胡坤忠	申请（专利权）人：	苹果公司
主分类号：	H01L21/56	分类号：	H01L21/56;H01L23/00;H01L23/31
代理公司：	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038	代理人：	边海梅
地址：	美国加***	国省代码：	暂无信息
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摘要：	本发明描述了一种竖直堆叠的系统级封装结构。一种封装包括第一级(125)模制(122)和扇出结构(130)、第三级(185)模制(182)和扇出结构(190)以及在所述第一级(125)和第三级(185)之间的第二级(155)模制(152)和扇出结构(160)。所述第一级(125)模制(122)和扇出结构(130)包括第一级裸片(110)，所述第二级(155)模制(152)和扇出结构(160)包括背对背面向的裸片(142)，其中每个裸片(142)的正表面粘结到再分配层(130,160)，并且所述第三级(185)模制(182)包括第三级裸片(172)。可使用多个第一级模制裸片(110)。所述第一级裸片(110)可为易失性存储器裸片，所述第二级裸片(142)可为非易失性存储器裸片，并且所述第三级裸片(172)可为活动裸片。在形成所述竖直堆叠系统级封装的方法中，可使用承载衬底，随后除去。
搜索关键词：	竖直堆叠系统封装及其制造方法
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【主权项】：

一种竖直堆叠系统级封装(SiP)，包括：第一级裸片，所述第一级裸片包封在第一级模制化合物中；第一再分配层(RDL)，所述第一再分配层位于所包封的第一级裸片上；第二级裸片叠堆，所述第二级裸片叠堆在所述第一RDL上包括一对背对背堆叠的裸片并包封在第二级模制化合物中；第二RDL，所述第二RDL位于所包封的第二级裸片叠堆上；第三级裸片，所述第三级裸片位于所述第二RDL上并包封在第三级模制化合物中，其中所述第三级裸片背面朝向所述第二RDL；以及第三RDL，所述第三RDL位于所包封的第三级裸片上。

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H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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