[发明专利]竖直堆叠系统级封装及其制造方法

权利要求书

1.一种竖直堆叠系统级封装SiP，包括：

一对第一级裸片，所述一对第一级裸片包封在第一级模制化合物中；

第一再分配层RDL，所述第一再分配层位于所包封的所述一对第一级裸片上；

第二级裸片叠堆，所述第二级裸片叠堆包括在第一RDL上并包封在第二级模制化合物中的一对背对背堆叠的裸片；

第二RDL，所述第二RDL位于所包封的第二级裸片叠堆上；

第三级裸片，所述第三级裸片位于所述第二RDL上并包封在第三级模制化合物中，其中所述第三级裸片背面朝向所述第二RDL；以及

第三RDL，所述第三RDL位于所包封的第三级裸片上；

其中第一级裸片中的每个是第一类型的裸片并且背对背堆叠的裸片中的每个是与第一类型的裸片不同的第二类型的裸片，背对背堆叠的裸片中的每个具有比第一级裸片中的每个更大的x-y尺寸，并且第三级裸片是不同于第一类型的裸片和第二类型的裸片两者的第三类型的裸片。

2.根据权利要求1所述的竖直堆叠系统级封装SiP，其中所述第三RDL直接位于所述第三级裸片的柱形凸块上。

3.根据权利要求1所述的竖直堆叠系统级封装SiP，其中所述第三RDL直接位于所述第三级裸片的接触垫上。

4.根据权利要求1所述的竖直堆叠系统级封装SiP，其中利用裸片附接膜将所述第三级裸片附接到所述第二RDL。

5.根据权利要求1所述的竖直堆叠系统级封装SiP，其中所述第一级裸片中的每个正面朝向所述第一RDL，并且所述第一RDL直接位于用于所述第一级裸片中的每个的导电凸块上。

6.根据权利要求1所述的竖直堆叠系统级封装SiP，其中所述一对背对背堆叠的裸片包括粘结到所述第一RDL的第一-第二级裸片，以及第二-第二级裸片，其中所述第二RDL位于所述第二-第二级裸片上。

7.根据权利要求6所述的竖直堆叠系统级封装SiP，其中利用焊料将所述第一-第二级裸片粘结到所述第一RDL。

8.根据权利要求7所述的竖直堆叠系统级封装SiP，其中所述第二RDL直接位于所述第二-第二级裸片的柱形凸块上。

9.根据权利要求6所述的竖直堆叠系统级封装SiP，还包括从所述第一RDL延伸至所述第二RDL的多个第二级导电柱，其中利用所述第二级模制化合物包封所述多个第二级导电柱。

10.根据权利要求9所述的竖直堆叠系统级封装SiP，还包括从所述第二RDL延伸至所述第三RDL的多个第三级导电柱，其中利用所述第三级模制化合物包封所述多个第三级导电柱。

11.根据权利要求10所述的竖直堆叠系统级封装SiP，还包括所述第三级裸片上的位于所述第三RDL的相反侧上的多个导电凸块。

12.根据权利要求10所述的竖直堆叠系统级封装SiP，还包括：

多个第一级导电柱，所述多个第一级导电柱延伸穿过所述第一级模制化合物；以及

第二封装，所述第二封装位于所述第一级模制化合物上并与所述多个第一级导电柱电连接。

13.根据权利要求1所述的竖直堆叠系统级封装SiP，其中所述第一类型的裸片是易失性存储器裸片，并且所述第二类型的裸片是非易失性存储器裸片。

14.根据权利要求13所述的竖直堆叠系统级封装SiP，其中所述第三类型的裸片是逻辑裸片。

15.根据权利要求14所述的竖直堆叠系统级封装SiP，其中：

所述第一级裸片中的每个为DRAM裸片；

所述背对背堆叠的裸片中的每个为NAND裸片；并且

所述第三级裸片为SoC裸片。