[发明专利]废液处理方法及废液处理装置有效
| 申请号： | 201680021628.7 | 申请日： | 2016-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN107533968B | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 樋口鲇美 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;C02F1/62 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 李英艳;张永康 |
| 地址： | 日本京都*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在基板处理部利用药液对半导体基板进行表面处理。通过基板处理将溶解有金属的药液排出至储存罐并储存。多元酸供给部向储存罐供给具有缺失部位的缺失型络合物的多元酸。将具有缺失部位的缺失型络合物的多元酸混合在包含金属的已使用的药液中，将该混合液的pH值调整为2～3，从而将溶解在药液中的金属纳入多元酸的缺失部位。进一步地，投入抗衡阳离子而使纳入有金属的多元酸沉淀并从药液中分离，从而在对半导体基板进行处理时，能够去除药液中包含的金属从而再生该药液。 | ||
| 搜索关键词： | 废液 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种废液处理方法，其是将在半导体基板的处理中使用过的药液所包含的金属去除的废液处理方法，其中，包括：回收工序，将在半导体基板的处理中使用过的药液回收；以及去除工序，将多元酸混合在利用所述回收工序回收的药液中，将该药液所包含的金属纳入多元酸中，从而从该药液中去除金属。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
