[发明专利]废液处理方法及废液处理装置有效
申请号: | 201680021628.7 | 申请日: | 2016-04-07 |
公开(公告)号: | CN107533968B | 公开(公告)日: | 2020-08-28 |
发明(设计)人: | 樋口鲇美 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306;C02F1/62 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 李英艳;张永康 |
地址: | 日本京都*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 废液 处理 方法 装置 | ||
在基板处理部利用药液对半导体基板进行表面处理。通过基板处理将溶解有金属的药液排出至储存罐并储存。多元酸供给部向储存罐供给具有缺失部位的缺失型络合物的多元酸。将具有缺失部位的缺失型络合物的多元酸混合在包含金属的已使用的药液中,将该混合液的pH值调整为2~3,从而将溶解在药液中的金属纳入多元酸的缺失部位。进一步地,投入抗衡阳离子而使纳入有金属的多元酸沉淀并从药液中分离,从而在对半导体基板进行处理时,能够去除药液中包含的金属从而再生该药液。
技术领域
本发明涉及一种将在半导体基板的处理中使用过的蚀刻液等药液所包含的金属去除从而再生该药液的废液处理方法及废液处理装置。
背景技术
在半导体制造工艺中的后端工艺(BEOL:Back End Of the Line)中也使用蚀刻法,开发了各种蚀刻液。通常,由于蚀刻液溶解金属,因此,将包含金属的蚀刻液作为废液处置。
在蚀刻液中,也开发了许多高价的蚀刻液,期望通过某些方法从这样的蚀刻液中去除溶解的金属,从而再生蚀刻液。因此,一直以来,各种将溶解在蚀刻液中的金属去除、回收的技术都被加以研究,例如,在专利文献1中,提出了使用具有螯合形成基的载体来捕捉溶解在蚀刻液中的金属从而再生蚀刻液的技术。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2013-119665号公报。
发明内容
发明所要解决的问题
然而,在以往开发的蚀刻液的再生法中,很多都存在成本过大、处理能力不充分等问题。因此,人们特别期待开发出从如高价的蚀刻液那样的药液中去除金属从而再生该药液的技术。
本发明鉴于上述问题而提出,其目的在于,提供能够将药液中包含的金属去除从而再生该药液的废液处理方法及废液处理装置。
解决问题的技术方案
为了解决上述问题,本发明的第一方式是将在半导体基板的处理中使用过的药液所包含的金属去除的废液处理方法,其中,包括:回收工序,将在半导体基板的处理中使用过的药液回收;以及,去除工序,将多元酸混合在利用所述回收工序回收的药液中,将该药液所包含的金属纳入多元酸中,从而从该药液中去除金属。
另外,第二方式是如第一方式所述的废液处理方法,所述多元酸是具有缺失部位的缺失型络合物。
另外,第三方式是如第二方式所述的废液处理方法,通过使利用所述回收工序回收的药液与多元酸在pH值为2~3的范围内反应,将该药液中包含的金属纳入多元酸的缺失部位。
另外,第四方式是如第三方式所述的废液处理方法,还包括:沉淀工序,将抗衡阳离子投入到纳入有金属的多元酸与所述药液的混合液中,使该多元酸与该抗衡阳离子的盐沉淀。
另外,第五方式是如第四方式所述的废液处理方法,还包括:再利用工序,将从所述混合液中去除利用所述沉淀工序生成的沉淀物而得到的药液在半导体基板的处理中再利用。
另外,第六方式是将在半导体基板的处理中使用过的药液中包含的金属去除的废液处理装置,其中,具备:基板处理部,向半导体基板供给药液,进行基板处理;储存部,回收并储存从所述基板处理部排出的已使用的药液;以及多元酸供给部,向储存有已使用的药液的所述储存部供给多元酸。
另外,第七方式是如第六方式所述的废液处理装置,所述多元酸是具有缺失部位的缺失型络合物。
另外,第八方式是如第七方式所述的废液处理装置,还具备:pH调整部,将储存于所述储存部的药液与多元酸的混合液的pH值调整为2~3。
另外,第九方式是如第八方式所述的废液处理装置,还具备:阳离子投入部,将抗衡阳离子投入到储存于所述储存部的药液与多元酸的混合液中。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造