[发明专利]废液处理方法及废液处理装置有效
| 申请号: | 201680021628.7 | 申请日: | 2016-04-07 |
| 公开(公告)号: | CN107533968B | 公开(公告)日: | 2020-08-28 |
| 发明(设计)人: | 樋口鲇美 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306;C02F1/62 |
| 代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 李英艳;张永康 |
| 地址: | 日本京都*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 废液 处理 方法 装置 | ||
1.一种废液处理方法,其是将在半导体基板的处理中使用过的药液所包含的金属去除的废液处理方法,其中,包括:
回收工序,将在半导体基板的处理中使用过的药液回收;
去除工序,将多元酸混合在利用所述回收工序回收的药液中,将该药液所包含的金属纳入多元酸中,从而从该药液中去除金属;以及
沉淀工序,将抗衡阳离子投入到纳入有金属的多元酸与所述药液的混合液中,使该多元酸与该抗衡阳离子的盐沉淀,
所述多元酸是具有缺失部位的缺失型络合物,
通过使利用所述回收工序回收的药液与多元酸在pH值为2~3的范围内反应,将该药液中包含的金属纳入多元酸的缺失部位。
2.如权利要求1所述的废液处理方法,其中,
还包括:再利用工序,将从所述混合液中去除利用所述沉淀工序生成的沉淀物而得到的药液在半导体基板的处理中再利用。
3.一种废液处理装置,其是将在半导体基板的处理中使用过的药液所包含的金属去除的废液处理装置,其中,具备:
基板处理部,向半导体基板供给药液,进行基板处理;
储存部,回收并储存从所述基板处理部排出的已使用的药液;
多元酸供给部,向储存有已使用的药液的所述储存部供给多元酸,
pH调整部,将储存于所述储存部的药液与多元酸的混合液的pH值调整为2~3;以及
阳离子投入部,将抗衡阳离子投入到储存于所述储存部的药液与多元酸的混合液中,
所述多元酸是具有缺失部位的缺失型络合物。
4.如权利要求3所述的废液处理装置,其中,
还具备:回流部,使从所述混合液中将投入了抗衡阳离子而生成的沉淀物去除而得到的药液回流至所述基板处理部。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





