[发明专利]具有降低的栅致漏极泄漏电流的模拟开关有效
| 申请号： | 201680016468.7 | 申请日： | 2016-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN107408940B | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | I·C·西卡尔;J·K·詹宁斯;C·达尔布哈 | 申请（专利权）人： | 赛灵思公司 |
| 主分类号： | H03K17/06 | 分类号： | H03K17/06;H03K17/16 |
| 代理公司： | 北京市君合律师事务所 11517 | 代理人： | 毛健;顾云峰 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种在一个实施例中的包括模拟开关的装置，该模拟开关具有在开关输入和开关输出之间与PMOS电路(204)并联的NMOS电路(202)。模拟开关(102)响应确定开关状态的使能信号。NMOS电路(202)包括耦接到缓冲N沟道晶体管的开关N沟道晶体管，开关N沟道晶体管的栅极耦接到使能信号且缓冲N沟道晶体管的栅极耦接到调制N沟道晶体管栅极电压。PMOS电路(204)包括耦接到缓冲P沟道晶体管的开关P沟道晶体管，开关P沟道晶体管的栅极耦接到使能信号的反相且缓冲P沟道晶体管的栅极耦接到调制P沟道栅极电压。控制电路(208)耦接到模拟开关(102)以提供调制N沟道和P沟道栅极电压，每个都可基于开关状态在相应的电源电压和GIDL降低电压之间变化。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 降低 栅致漏极 泄漏 电流 模拟 开关 | ||
【主权项】：
一种装置，其特征在于，所述装置包括：模拟开关，所述模拟开关包括在开关输入和开关输出之间与P型金属氧化物半导体PMOS电路并联的N型金属氧化物半导体NMOS电路，所述模拟开关根据确定所述模拟开关的开关状态的使能信号而作出响应；所述NMOS电路包括被耦接到缓冲N沟道晶体管的开关N沟道晶体管，所述开关N沟道晶体管的栅极被耦接到所述使能信号并且所述缓冲N沟道晶体管的栅极被耦接到调制N沟道栅极电压；所述PMOS电路包括被耦接到缓冲P沟道晶体管的开关P沟道晶体管，所述开关P沟道晶体管的栅极被耦接到使能信号的反相信号并且所述缓冲P沟道晶体管的栅极被耦接到调制P‑沟道栅极电压；以及控制电路，其被耦接到所述模拟开关以提供调制N沟道和调制P沟道栅极电压，其中这些调制栅极电压中的每一个基于所述开关状态在相应的电源电压和相应的栅致漏极泄漏电流GIDL降低电压之间交替变化。
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